TLC27L4x および TLC27L9 クワッドオペアンプは、幅広い入力オフセット電圧グレード、低オフセット電圧ドリフト、高入力インピーダンス、超低消費電力、高ゲインを特長としています。TLC27Lx は TI のシリコンゲート LinCMOS™ テクノロジを採用しており、従来のメタルゲートプロセスでの安定性をはるかに上回るオフセット電圧の安定性を実現しています。
低コストの TLC27L4 (10mV) から高精度の TLC27L9 (1000µV) まで、4 つのオフセット電圧グレード (接尾辞 C と接尾辞 I) が用意されています。TLC27Lx は入力インピーダンスが非常に高く、バイアス電流が小さく、同相除去と電源電圧除去に優れ、消費電力も低いため、最先端の設計や既存の設計のアップグレードに適しています。
一般に、バイポーラテクノロジに関連する多くの機能は、バイポーラテクノロジのパワーペナルティなしで、LinCMOS オペアンプで使用できます。TLC27Lx を使用すると、トランスデューサインターフェイス、アナログ計算、アンプブロック、アクティブフィルタ、信号バッファリングなどの一般的な用途すべてを容易に設計できます。また、このデバイスは低電圧の単一電源で動作するため、TLC27Lx はリモートおよびアクセスできないバッテリ駆動アプリケーションに最適です。同相入力電圧範囲には負のレールが含まれます。
TLC27Lx には、MIL-STD-883C、メソッド 3015.2 でテストされた、最大 2000V の電圧での機能障害を防止する内部 ESD 保護回路が組み込まれています。ESD にさらされるとデバイスのパラメトリック性能が低下する可能性があるため、これらのデバイスの取り扱いには注意してください。
C の接尾辞が付いたデバイスは 0°C ~ 70°C での動作を特徴とし、I の接尾辞が付いたデバイスは -40°C ~ +85°C での動作を特徴としています。
TLC27L4x および TLC27L9 クワッドオペアンプは、幅広い入力オフセット電圧グレード、低オフセット電圧ドリフト、高入力インピーダンス、超低消費電力、高ゲインを特長としています。TLC27Lx は TI のシリコンゲート LinCMOS™ テクノロジを採用しており、従来のメタルゲートプロセスでの安定性をはるかに上回るオフセット電圧の安定性を実現しています。
低コストの TLC27L4 (10mV) から高精度の TLC27L9 (1000µV) まで、4 つのオフセット電圧グレード (接尾辞 C と接尾辞 I) が用意されています。TLC27Lx は入力インピーダンスが非常に高く、バイアス電流が小さく、同相除去と電源電圧除去に優れ、消費電力も低いため、最先端の設計や既存の設計のアップグレードに適しています。
一般に、バイポーラテクノロジに関連する多くの機能は、バイポーラテクノロジのパワーペナルティなしで、LinCMOS オペアンプで使用できます。TLC27Lx を使用すると、トランスデューサインターフェイス、アナログ計算、アンプブロック、アクティブフィルタ、信号バッファリングなどの一般的な用途すべてを容易に設計できます。また、このデバイスは低電圧の単一電源で動作するため、TLC27Lx はリモートおよびアクセスできないバッテリ駆動アプリケーションに最適です。同相入力電圧範囲には負のレールが含まれます。
TLC27Lx には、MIL-STD-883C、メソッド 3015.2 でテストされた、最大 2000V の電圧での機能障害を防止する内部 ESD 保護回路が組み込まれています。ESD にさらされるとデバイスのパラメトリック性能が低下する可能性があるため、これらのデバイスの取り扱いには注意してください。
C の接尾辞が付いたデバイスは 0°C ~ 70°C での動作を特徴とし、I の接尾辞が付いたデバイスは -40°C ~ +85°C での動作を特徴としています。