高電圧、プログラマブル ゲイン、差動アンプ

製品詳細

Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.76 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 76 Common-mode input low (min) (V) -100 Common-mode input high (max) (V) 100 Input offset (±) (max) (V) 0.005 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 0.45 Voltage gain (min) (V/V) 0.1 Voltage gain (max) (V/V) 100 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Gain drift (max) (ppm/°C) 1 Gain error (±) (max) (%) 0.1
Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.76 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 76 Common-mode input low (min) (V) -100 Common-mode input high (max) (V) 100 Input offset (±) (max) (V) 0.005 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 0.45 Voltage gain (min) (V/V) 0.1 Voltage gain (max) (V/V) 100 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 500000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Gain drift (max) (ppm/°C) 1 Gain error (±) (max) (%) 0.1
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 高い同相電圧:
    • 40V (VS = 5V 時)
    • ±100V (VS = ±15V 時)
  • 差動ゲイン = 0.1V/V~100V/V:
    • 外付け抵抗により設定
  • 低い静止電流:570µA
  • 幅広い電源電圧範囲:
    • 単電源:4.5V ~ 36V
    • 両電源:±2.25V ~ ±18V
  • 低ゲイン誤差:0.025%
  • 大きい同相除去:80dB
  • 高い同相電圧:
    • 40V (VS = 5V 時)
    • ±100V (VS = ±15V 時)
  • 差動ゲイン = 0.1V/V~100V/V:
    • 外付け抵抗により設定
  • 低い静止電流:570µA
  • 幅広い電源電圧範囲:
    • 単電源:4.5V ~ 36V
    • 両電源:±2.25V ~ ±18V
  • 低ゲイン誤差:0.025%
  • 大きい同相除去:80dB

INA146 は高精度の差動アンプで、高い差動電圧を正確に減衰させ、高い同相電圧を除去して、一般的な信号処理電圧レベルとの互換性を確保できます。また、高電圧機能により、継承的に入力保護機能も備えていることになります。入力同相範囲が両方の電源レールを超えているため、INA146 は単電源と両電源の両方のアプリケーションに最適です。

レーザ トリミングされたオンチップの高精度抵抗により、高いゲイン精度と高い同相除去比を実現します。これらの抵抗の優れた TCR トラッキングにより、温度範囲全体にわたって高精度が維持されます。

出力アンプがユニティ ゲイン バッファとして使用されている場合、10:1 の差動アンプにより 0.1V/V のゲインが得られます。この構成では、最大 ±100V までの入力電圧を測定できます。0.1V/V を超えるゲインは、同相入力範囲に影響を与えることなく、外付けの抵抗ペアを使用して設定できます。

INA146 は、拡張工業用温度範囲 (-40℃~85℃) で動作が規定されている、SO-8 表面実装パッケージで供給されます。

INA146 は高精度の差動アンプで、高い差動電圧を正確に減衰させ、高い同相電圧を除去して、一般的な信号処理電圧レベルとの互換性を確保できます。また、高電圧機能により、継承的に入力保護機能も備えていることになります。入力同相範囲が両方の電源レールを超えているため、INA146 は単電源と両電源の両方のアプリケーションに最適です。

レーザ トリミングされたオンチップの高精度抵抗により、高いゲイン精度と高い同相除去比を実現します。これらの抵抗の優れた TCR トラッキングにより、温度範囲全体にわたって高精度が維持されます。

出力アンプがユニティ ゲイン バッファとして使用されている場合、10:1 の差動アンプにより 0.1V/V のゲインが得られます。この構成では、最大 ±100V までの入力電圧を測定できます。0.1V/V を超えるゲインは、同相入力範囲に影響を与えることなく、外付けの抵抗ペアを使用して設定できます。

INA146 は、拡張工業用温度範囲 (-40℃~85℃) で動作が規定されている、SO-8 表面実装パッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート INA146 高電圧、プログラマブル ゲイン差動アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 12月 29日
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設計と開発

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評価ボード

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  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
  • DRL(SOT563-6)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

INA146 PSpice Model (Rev. B)

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ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
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ユーザー ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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