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高速オペアンプ (50MHz 以上のゲイン帯域幅：GBW)

OPA859-Q1

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車載対応、1.8GHz ユニティ ゲイン帯域幅、3.3nV/√Hz、FET 入力アンプ

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OPA859-Q1

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製品詳細

Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3.3 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.25 GBW (typ) (MHz) 900 BW at Acl (MHz) 1800 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1150 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 3.3 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12.1 Iq per channel (typ) (mA) 20.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail No Features Shutdown Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 84 Input bias current (max) (pA) 5 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.2 Iout (typ) (mA) 76 2nd harmonic (dBc) 90 3rd harmonic (dBc) 86 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 10
Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3.3 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.25 GBW (typ) (MHz) 900 BW at Acl (MHz) 1800 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1150 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 3.3 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12.1 Iq per channel (typ) (mA) 20.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail No Features Shutdown Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 84 Input bias current (max) (pA) 5 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.2 Iout (typ) (mA) 76 2nd harmonic (dBc) 90 3rd harmonic (dBc) 86 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 10
WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
  • 高いユニティ・ゲイン帯域幅：1.8GHz
  • ゲイン帯域幅積：900MHz
  • 極めて小さいバイアス電流 MOSFET 入力：10pA
  • 小さい入力電圧ノイズ：3.3nV/√Hz
  • スルーレート：1150V/µs
  • 低い入力容量：
    • 同相：0.6pF
    • 差動：0.2pF
  • 広い入力同相範囲：
    • 正電源から1.4V
    • 負電源を含む
  • TIA 構成で 2.5VPP の出力スイング
  • 電源電圧範囲：3.3V～5.25V
  • 静止電流：20.5mA
  • パッケージ：8ピン WSON
  • 温度範囲：–40℃～+125℃
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
  • 高いユニティ・ゲイン帯域幅：1.8GHz
  • ゲイン帯域幅積：900MHz
  • 極めて小さいバイアス電流 MOSFET 入力：10pA
  • 小さい入力電圧ノイズ：3.3nV/√Hz
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  • 低い入力容量：
    • 同相：0.6pF
    • 差動：0.2pF
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    • 負電源を含む
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  • 電源電圧範囲：3.3V～5.25V
  • 静止電流：20.5mA
  • パッケージ：8ピン WSON
  • 温度範囲：–40℃～+125℃

OPA859-Q1 は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用、広帯域、低ノイズの CMOS 入力オペアンプです。デバイスがトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成されているとき、 0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、 低容量のフォトダイオード・アプリケーションで高い閉ループ帯域幅が得られます。

下のグラフは、アンプが TIA として構成されているときの OPA859-Q1 の帯域幅およびノイズ特性を、フォトダイオード容量の関数として示したものです。合計ノイズは、DC から左側のスケールで計算された周波数 (f) までの帯域幅の範囲にわたって計算されます。 OPA859-Q1 のパッケージにはフィードバック・ピン (FB) があるため、入力と出力の間の帰還回路接続が簡単になります。

OPA859-Q1 は、 OPA859-Q1 を TDC7201 などの時間 / デジタル・コンバータと組み合わせて使用する光学的タイム・オブ・フライト (ToF) システムで動作するよう最適化されています。 OPA859-Q1 を使うと、THS4541-Q1 などの差動出力アンプを接続した高分解能 LIDAR システムで高速 A/D コンバータ (ADC) を駆動できます。

OPA859-Q1 は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用、広帯域、低ノイズの CMOS 入力オペアンプです。デバイスがトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成されているとき、 0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、 低容量のフォトダイオード・アプリケーションで高い閉ループ帯域幅が得られます。

下のグラフは、アンプが TIA として構成されているときの OPA859-Q1 の帯域幅およびノイズ特性を、フォトダイオード容量の関数として示したものです。合計ノイズは、DC から左側のスケールで計算された周波数 (f) までの帯域幅の範囲にわたって計算されます。 OPA859-Q1 のパッケージにはフィードバック・ピン (FB) があるため、入力と出力の間の帰還回路接続が簡単になります。

OPA859-Q1 は、 OPA859-Q1 を TDC7201 などの時間 / デジタル・コンバータと組み合わせて使用する光学的タイム・オブ・フライト (ToF) システムで動作するよう最適化されています。 OPA859-Q1 を使うと、THS4541-Q1 などの差動出力アンプを接続した高分解能 LIDAR システムで高速 A/D コンバータ (ADC) を駆動できます。
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WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
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  • RoHS
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  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

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