高精度、低消費電力、計測アンプ

製品詳細

Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2.7 Input offset (±) (max) (µV) 50 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10 Features Overvoltage protection CMRR (min) (dB) 110 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.5 Input bias current (±) (max) (nA) 5 Iq (typ) (mA) 0.35 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.8 Gain error (±) (max) (%) 0.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.95 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.65 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.28
Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2.7 Input offset (±) (max) (µV) 50 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10 Features Overvoltage protection CMRR (min) (dB) 110 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.5 Input bias current (±) (max) (nA) 5 Iq (typ) (mA) 0.35 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.8 Gain error (±) (max) (%) 0.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.95 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.65 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.28
PDIP (P) 8 92.5083 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • このデバイスには新しいバージョン INA818 が存在します
  • 低いオフセット電圧:50µV (最大値)
  • 低いドリフト:0.5µV/℃ (最大値)
  • 低い入力バイアス電流:5nA (最大値)
  • 高い CMR:110dB (最小値)
  • ±40V までの入力保護
  • 広い電源電圧範囲:±2.25~±18V
  • 低い静止電流:350µA
  • パッケージ:8 ピンのプラスチック DIP、SO-8
  • このデバイスには新しいバージョン INA818 が存在します
  • 低いオフセット電圧:50µV (最大値)
  • 低いドリフト:0.5µV/℃ (最大値)
  • 低い入力バイアス電流:5nA (最大値)
  • 高い CMR:110dB (最小値)
  • ±40V までの入力保護
  • 広い電源電圧範囲:±2.25~±18V
  • 低い静止電流:350µA
  • パッケージ:8 ピンのプラスチック DIP、SO-8

INA118 は、精度の優れた低消費電力の汎用計装アンプです。本デバイスは、用途が広い 3 オペアンプ設計を採用しており、サイズが小型であるため、広範なアプリケーションに非常に適しています。電流帰還入力回路により、高いゲインでも広い帯域幅が得られます (G = 100 で 70kHz)。

1 個の外付け抵抗で、1~10000 の任意のゲインを設定できます。内部入力保護機能は、損傷なしに ±40V まで耐えられます。

INA118 はレーザー・トリムにより、低いオフセット電圧 (50µV)、ドリフト係数 (0.5µV/℃)、高い同相信号除去比 (G = 1000 で 110dB) を実現しています。INA118 は、最低 ±2.25V の電源で動作し、静止電流がわずか 350µA であるため、バッテリ動作システムに非常に適しています。

INA118 は 8 ピンのプラスチック DIP および SO-8 表面実装パッケージで供給され、-40℃~+85℃の温度範囲で動作が規定されています。

アップグレードされた INA818 は、同じ静止電流で、より低い入力段オフセット電圧 (最大 35µV)、入力バイアス電流 (最大 0.5nA)、ノイズ (8nV/√Hz) を実現しています。テキサス・インスツルメンツの高精度計装アンプのラインナップについては、「デバイス比較表」を参照してください。

INA118 は、精度の優れた低消費電力の汎用計装アンプです。本デバイスは、用途が広い 3 オペアンプ設計を採用しており、サイズが小型であるため、広範なアプリケーションに非常に適しています。電流帰還入力回路により、高いゲインでも広い帯域幅が得られます (G = 100 で 70kHz)。

1 個の外付け抵抗で、1~10000 の任意のゲインを設定できます。内部入力保護機能は、損傷なしに ±40V まで耐えられます。

INA118 はレーザー・トリムにより、低いオフセット電圧 (50µV)、ドリフト係数 (0.5µV/℃)、高い同相信号除去比 (G = 1000 で 110dB) を実現しています。INA118 は、最低 ±2.25V の電源で動作し、静止電流がわずか 350µA であるため、バッテリ動作システムに非常に適しています。

INA118 は 8 ピンのプラスチック DIP および SO-8 表面実装パッケージで供給され、-40℃~+85℃の温度範囲で動作が規定されています。

アップグレードされた INA818 は、同じ静止電流で、より低い入力段オフセット電圧 (最大 35µV)、入力バイアス電流 (最大 0.5nA)、ノイズ (8nV/√Hz) を実現しています。テキサス・インスツルメンツの高精度計装アンプのラインナップについては、「デバイス比較表」を参照してください。

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比較対象デバイスのアップグレード版機能を搭載した、ドロップイン代替製品
INA818 アクティブ ±60V の過電圧保護機能搭載 (ゲイン ピン 1 と 8)、低消費電力 (350μA)、高精度計測アンプ Pin-to-pin device with higher GBW (2MHz), higher DC precision (35µV max Vos, 0.4 µV/C max drift), higher CMRR (140dB Min) and lower bias current (0.5nA max)

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
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* データシート INA118 高精度、低消費電力計装アンプ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 12月 9日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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