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CSD16570Q5B

アクティブ

5mm x 6mm の SON 封止、シングル、0.82mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

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技術資料

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* データシート CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 19日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

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サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

リファレンス・デザイン

PMP23126 — アクティブ クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側に テキサス・インスツルメンツの 30mΩ の GaN、2 次側にシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却 GaN であり、Si (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP41081 — C2000™ リアルタイム マイコン使用、1kW、12V、HHC (ハイブリッド ヒステリシス制御) LLC (インダクタ インダクタ コンデンサ) のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、1kW、400V から 12V の変換を行うハーフブリッジ共振 DC/DC プラットフォームであり、F280039C マイコンを使用したハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) の負荷過渡性能を評価する目的で使用できます。HHC は、直接周波数制御 (DFC) と電荷制御を組み合わせた方式であり、追加の周波数補償ランプを使用して電荷を制御します。HHC の場合、内部ループを追加すると、インダクタ インダクタ コンデンサ (LLC) 段の負荷過渡応答性能を向上させることができます。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP40586 — 1kW、デジタル制御、電流モード LLC のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、業界初のデジタル ハイブリッド ヒステリシス制御 (HHC) ソリューションであり、12V ~ 54V を出力するサーバー PSU (電源) アプリケーションを対象にしています。このリファレンス デザインは、400V を 12V に変換する 1kW LLC 電力段で UCD3138 を使用して HHC 制御を行う利点を提示します。このデザインは、8kHz のピーク ループ帯域幅を実現しています。このデザインは、2.5A/μs のスルーレートで 0% から 100% への負荷過渡が発生したときに 500mV 未満のピーク ツー ピーク偏差、また2.5A/μs (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010087 — 100A、2 相、デジタル制御バッテリ テスタのリファレンス デザイン

このリファレンスデザインは、C2000™マイクロコントローラ(MCU)と高精度ADC ADS131M08を使用して、双方向インターリーブ降圧コンバータのパワー段の電流と電圧を正確に制御する方法を示しています。この設計では、C2000 MCUの高分解能パルス幅変調(PWM)生成周辺機能を利用することで、電流制御誤差を±20mA未満、電圧制御誤差を±1mVに抑えています。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP40182 — 双方向バッテリ初期化システム電源ボードのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、車載およびバッテリ アプリケーション用のバッテリ初期化リファレンス デザイン ソリューションです。このモジュールにより、バッテリの充電と放電のために高効率のシングル ステージ変換が可能になります。このデザインでは、高性能の INA225 電流センスアンプを使用して、0.1% 精度の電流制御ループを採用しています。この設計はコンパクトなフォーム ファクタ (40mm X 143mm X 20mm) で実現されています。 
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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