CSD25481F4
ゲートの ESD 保護機能搭載、0.6mm x 1mm のシングル LGA 封止、105mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25481F4
- 非常に小さいオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 大きな動作時ドレイン電流
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1mm × 0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 最大高 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 4kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 90mΩ、20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料
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評価ボード
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板
FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。 ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。 6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。
ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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