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CSD13306W

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12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET、1mm x 1.5mm のシングル WLP、10.2mΩ

製品詳細

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

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技術資料

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* データシート CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET データシート PDF | HTML 2015年 3月 16日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
アプリケーション・ノート AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD13306W Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM150A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

リファレンス・デザイン

TIDA-010043 — SpO2 と他の医療アプリケーション向け、高効率、大電流リニア LED ドライバのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、末梢毛細血管酸素飽和度 (SpO2) およびその他医療アプリケーションに対応した、保護機能付き高効率 (ヘッドルーム制御) 大電流 (最大 1.5A) リニア (正確で高速) 発光ダイオード (LED) ドライバのリファレンス デザインです。一般的な SpO2 アプリケーションは、LED 経由で電流を駆動します。これらのドライバのほとんどは、アナログ フロントエンド デバイスと統合されており、標準値 100mA で動作します。人体および動物の広範な生理機能に対応するには、より大きな電流の駆動が必要とされます。このリファレンス (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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