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CSD25501F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、76mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS に準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS に準拠

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

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技術資料

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* データシート CSD25501F3 -20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 12月 5日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-010070 — 低電圧サーボ ドライブ向け保護機能搭載 DC バス入力電力 / 制御電源のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、OR コントローラである LM5050-1 を使用して、逆極性と逆電流に対する保護を実現しています。さらに、過電流、過電圧、低電圧に対する保護と、突入電流の制限を目的として、ホット スワップ コントローラ LM5069 も組み合わせて使用しています。また、このデザインは、ゲート ドライバ、エンコーダ、マイコン (MCU) などのエレクトロニクスを制御する目的で、複数の電源レールを搭載
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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