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100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET、シングル D2PAK、2.4mΩ

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製品詳細

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 272 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
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TO-263 (KTT) 2 153.416 mm² 10.16 x 15.1
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • D2PAK プラスチック パッケージ
  • 非常に低い Qg および Qgd
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この 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

この 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。
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設計と開発

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