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デュアル SO-8 封止、28mΩ、60V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 非常に低いQgおよびQgd
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリー
  • RoHS 準拠
  • ハロゲン不使用
  • 非常に低いQgおよびQgd
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリー
  • RoHS 準拠
  • ハロゲン不使用

このデュアル SO-8、60V、23mΩ NexFET™ パワー MOSFET は、低電流モータ制御アプリケーションで、ハーフ リッジとして機能するように設計されています。

このデュアル SO-8、60V、23mΩ NexFET™ パワー MOSFET は、低電流モータ制御アプリケーションで、ハーフ リッジとして機能するように設計されています。
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* データシート CSD88539ND デュアル 60 V N チャネル NexFET パワー MOSFET データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 12月 20日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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