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TPSI2260-Q1

プレビュー

Automotive 600V, 50mA isolated switch with reinforced isolation and avalanche protection

製品詳細

FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1:-40~125℃、TA
  • 低 EMI:
    • 追加部品なしで CISPR25 Class 5 の性能に適合
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • TPSI2260-Q1:IAVA =1mA (60s パルス)
      • TPSI2260T-Q1:IAVA = 3mA (60s パルス)
    • 600Vスタンドオフ電圧
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • IOFF = 1.22µA (500V 時、TJ = 105°C)
  • 1 次側低消費電流
    • オン状態電流:9mA
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1000VRMS/1500VDC の動作電圧で 38 年以上の予測寿命
    • 強化絶縁定格、VISO、最大 5000VRMS
  • 熱性能を向上させるワイド ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離:8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離:6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連の認証
    • DIN VDE V 0884-17:2021-10 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
  • 車載アプリケーション認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1:-40~125℃、TA
  • 低 EMI:
    • 追加部品なしで CISPR25 Class 5 の性能に適合
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • TPSI2260-Q1:IAVA =1mA (60s パルス)
      • TPSI2260T-Q1:IAVA = 3mA (60s パルス)
    • 600Vスタンドオフ電圧
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • IOFF = 1.22µA (500V 時、TJ = 105°C)
  • 1 次側低消費電流
    • オン状態電流:9mA
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1000VRMS/1500VDC の動作電圧で 38 年以上の予測寿命
    • 強化絶縁定格、VISO、最大 5000VRMS
  • 熱性能を向上させるワイド ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離:8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離:6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連の認証
    • DIN VDE V 0884-17:2021-10 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)

TPSI2260-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI2260-Q1 は、TI の高信頼性の強化容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。TPSI2260-Q1 は、 テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V ~ 20V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 2.1V ~ 20V のロジック Low の GPIO 出力で駆動する必要があります。

2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±600V の双方向 MOSFET で構成されています。TPSI2260-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 1mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TPSI2260-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI2260-Q1 は、TI の高信頼性の強化容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。TPSI2260-Q1 は、 テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V ~ 20V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 2.1V ~ 20V のロジック Low の GPIO 出力で駆動する必要があります。

2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±600V の双方向 MOSFET で構成されています。TPSI2260-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 1mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

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技術資料

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3 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPSI2260-Q1 600V、50mA 車載強化ソリッドステート リレー、アバランシェ保護機能搭載 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 7日
EVM ユーザー ガイド (英語) TPSI2260-Q1 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2025年 6月 5日
証明書 TPSI2260Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 1月 24日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPSI2260Q1EVM — TPSI2260-Q1 評価基板

TPSI2260Q1EVM 評価基板は、複数のテスト ポイントと複数のジャンパを実装したハードウェア評価基板 (EVM) であり、このデバイスの性能と機能を包括的に評価できます。この評価モジュールには、TPSI2260-Q1 を大規模アプリケーションの電源システムの一部として設計する前に、テストと評価を実行するために必要なものがすべて付属しています。TPSI2260Q1EVM は スタンドアロンで使用することも、オプションで外部マイコンと組み合わせてデバイスのイネーブル信号を駆動することもできます。評価基板を使用して、誘電体耐性試験 (高電位 [HiPot] 試験とも呼ぶ) や DC (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを使用して、複雑なミックスド (...)
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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