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UCC21717-Q1

アクティブ

自動車用 10A ソース/シンク シングルチャネル絶縁ゲートドライバ(SiC/IGBT 用、アクティブプロテクション機能付き)

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI:150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
  • 400mA のソフト ターンオフ オプション (フォルト検出時)
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN によるデバイスのディセーブルでソフト ターンオフを起動
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間:130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー:30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃
  • 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI:150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
  • 400mA のソフト ターンオフ オプション (フォルト検出時)
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN によるデバイスのディセーブルでソフト ターンオフを起動
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間:130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー:30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃

UCC21717-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT を駆動するように設計された、ガルバニック絶縁シングル チャネル ゲート ドライバです。先進的な内蔵保護機能、クラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。UCC21717-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキュー、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21717-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21717-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT を駆動するように設計された、ガルバニック絶縁シングル チャネル ゲート ドライバです。先進的な内蔵保護機能、クラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。UCC21717-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキュー、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21717-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

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技術資料

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* データシート UCC21717-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 12月 13日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. X) 2025年 8月 20日
アプリケーション・ノート Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 2024年 7月 19日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・ツール

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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