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TPSI2260-Q1

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Automotive 600V, 50mA isolated switch with reinforced isolation and avalanche protection

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产品详情

FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脉冲）
      • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脉冲）
    • 600V 关断电压
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • 500V 时的 IOFF = 1.22µA (TJ = 105°C)
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000VRMS / 1500VDC 工作电压下预计寿命超过 38 年
    • 增强隔离额定值 VISO 高达 5000VRMS
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-17:2021-10
    • （计划）UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脉冲）
      • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脉冲）
    • 600V 关断电压
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • 500V 时的 IOFF = 1.22µA (TJ = 105°C)
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000VRMS / 1500VDC 工作电压下预计寿命超过 38 年
    • 增强隔离额定值 VISO 高达 5000VRMS
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-17:2021-10
    • （计划）UL 1577 组件认证计划

TPSI2260-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2260-Q1 与 TI 具有高可靠性的增强电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。TPSI2260-Q1 可提高系统可靠性，因为 TI 的电容隔离技术不会受到机械继电器和光继电器元件中常见的机械损耗或光退化故障模式的影响。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑低电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。

次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 1mA 的直流快速充电器浪涌电流。

TPSI2260-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2260-Q1 与 TI 具有高可靠性的增强电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。TPSI2260-Q1 可提高系统可靠性，因为 TI 的电容隔离技术不会受到机械继电器和光继电器元件中常见的机械损耗或光退化故障模式的影响。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑低电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。

次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 1mA 的直流快速充电器浪涌电流。
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* 数据表 TPSI2260-Q1 具有雪崩保护功能的 600V、50mA 汽车类增强型固态继电器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 7日
EVM 用户指南 TPSI2260-Q1 评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 7月 3日
证书 TPSI2260Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 1月 24日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPSI2260Q1EVM — TPSI2260-Q1 评估模块

TPSI2260Q1EVM 是包含多个测试点和跳线的硬件评估模块 (EVM)，用于全面评估器件的性能和功能。该评估模块包含测试和评估 TPSI2260-Q1 所需的一切资源，之后就可以集成到更大型应用的电源系统设计中。TPSI2260Q1EVM 可单独使用，也可选择与外部微控制器配对使用，用于驱动器件的使能信号。使用该 EVM 可以评估诸如电介质耐压测试（又称高压 [HiPot] 测试）和直流快充浪涌电流等应用需求，且无需外部保护元件。此 EVM 组装了采用 SOIC 封装的 TPSI2260-Q1。
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PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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