TLV341A
- 1.8V 和 5V 性能
- 低失调电压(A 级)
- 最大值 1.25mV (25°C)
- 最大值 1.7mV(–40°C 至 125°C)
- 轨到轨输出摆幅
- 宽共模输入电压范围:–0.2V 至 (V+ - 0.5V)
- 输入偏置电流:1pA(典型值)
- 输入失调电压:0.3mV(典型值)
- 低电源电流:70µA/通道
- 低关断电流:每通道 10pA(典型值)
- 增益带宽:2.3MHz(典型值)
- 压摆率:0.9V/µs(典型值)
- 关断后的导通时间:5µs(典型值)
- 输入参考电压噪声(10kHz 时): 20nV/√ Hz
- ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求:
- 2000V 人体放电模式 (HBM)
- 750V 充电器件模型 (CDM)
TLV34xx 器件分别为单和双 CMOS 运算放大器,具有低电压、低功耗和轨到轨输出摆幅功能。PMOS 输入级提供 1pA(典型值)的超低输入偏置电流和 0.3mV(典型值)的 失调电压。对于需要出色直流精度的应用,A 级 (TLV34xA) 在 25°C 时具有 1.25mV(最大值)的低失调电压。
这些单电源放大器专为超低电压(1.5V 至 5V)工作而设计,其共模输入电压范围通常介于与正电源轨的 –0.2V 至 0.5V。
采用 RUG 封装的 TLV341(单)和 TLV342(双)还提供了一个关断 (SHDN) 引脚,可用于禁用器件。在关断模式下,电源电流降至 45pA(典型值)。TLV341 采用 SOT-23 和更小的 SC70 封装,非常适合大多数空间受限的应用。双 TLV342 采用标准的 SOIC、VSSOP 和 X2QFN 封装。
TLV34xx 具有从 –40°C 到 125°C 的扩展工业温度范围,因此能够灵活用于各种商业和工业应用。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | 具有关断状态的 TLV34xx 低电压轨到轨输出 CMOS 运算放大器 数据表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2025年 7月 1日 |
应用手册 | 运算放大器 ESD 保护结构 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 2月 10日 | |
电子书 | The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 | 英语版 | 2018年 1月 31日 | |||
技术文章 | 3 ways to scale an analog input signal | PDF | HTML | 2016年 9月 20日 |
设计和开发
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AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块
放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件,与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板,主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求,使工程师能够快速评估和验证器件性能。
AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装,包括:
- D(SOIC-8 和 SOIC-14)
- PW (TSSOP-14)
- DGK (VSSOP-8)
- DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
- DCK(SC70-5 和 SC70-6)
DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
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DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
- DCK(SC70-6 和 SC70-5)
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TIDA-00649 — 4mA 至 20mA 回路能量收集器参考设计
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
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