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理想二极管 ORing 控制器

LM5050-1

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5V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器

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Vin (max) (V) 75 Vin (min) (V) 5 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Catalog Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Product type ORing controller
Vin (max) (V) 75 Vin (min) (V) 5 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Catalog Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Product type ORing controller
SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

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The LM5050-1 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5050-1 OR-ing Diode Controller. One high side N-channel power MOSFET is used. The evaluation board is designed to highlight applications with a small solution size.

用户指南: PDF
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PSEMTHR24EVM-081 — 适用于 24 端口 IEEE 802.3bt 就绪型 PSE 系统的主板

PSEMTHR24EVM-081 是 TPS23881 和 TPS23882 PSE 控制器的基板。该基板包含 24 个 2 线对/4 线对端口，可用于发送高达 30W/端口（对于 IEEE 802.3at 应用）和 90W/端口（对于 IEEE 802.3bt 应用）的功率。

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LM5050 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNVM010.ZIP (347 KB) - PSpice Model
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仿真模型

LM5050-1 TINA-TI Transient Reference Design

SNVM061.TSC (132 KB) - TINA-TI Reference Design
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LM5050-1 TINA-TI Transient Spice Model

SNVM060.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23-THN (DDC) 6 Ultra Librarian
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