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TPS7H2221-SEP

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耐放射線性特性、1.6V ～ 5.5V 入力、1.25A ロード スイッチ

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TPS7H2221-SEP

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製品詳細

Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • VID (Vendor Item Drawing) V62/22609 が利用可能
  • 総照射線量 (TID) 耐性 = 30krad (Si)
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの TID RLAT (放射線ロット受け入れテスト)
  • シングル・イベント効果 (SEE) の特性
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、実効線エネルギー付与 (LETEFF) に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg。
    • シングル・イベント過渡 (SET) およびシングル・イベント機能割り込み (SEFI) の、LETEFF に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg。
  • 動作入力電圧範囲 (VIN)：1.6～5.5V
  • 推奨連続電流 (IMAX)：1.25A
  • オン抵抗 (RON)
    • VIN = 5V で 116mΩ (標準値)
    • VIN = 3.3V で 115mΩ (標準値)
    • VIN = 1.8V で 133mΩ (標準値)
  • 出力短絡保護 (ISC)：3A (標準値)
  • 低い消費電力：
    • オン状態 (IQ)：8.3µA (標準値)
    • オフ状態 (ISD)：3nA (標準値)
  • 低速のターンオン・タイミングによる突入電流制限 (tON)：
    • 5V 時の tON = 1.68ms (3.61mV/µs 時)
    • 3.3V 時の tON = 1.51ms (2.91mV/µs 時)
    • 1.8V 時の tON = 1.32ms (2.15 mV/µs 時)
  • 出力放電および立ち下がり時間を変更可能
    • VIN = 3.3V での内部 QOD 抵抗 = 9.2Ω（標準値）
  • 宇宙向け強化プラスチック (SEP)
    • 管理されたベースライン
    • 金ボンド・ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 軍用温度範囲：-55℃～125℃
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間 (PCN) の延長
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出
  • VID (Vendor Item Drawing) V62/22609 が利用可能
  • 総照射線量 (TID) 耐性 = 30krad (Si)
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの TID RLAT (放射線ロット受け入れテスト)
  • シングル・イベント効果 (SEE) の特性
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、実効線エネルギー付与 (LETEFF) に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg。
    • シングル・イベント過渡 (SET) およびシングル・イベント機能割り込み (SEFI) の、LETEFF に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg。
  • 動作入力電圧範囲 (VIN)：1.6～5.5V
  • 推奨連続電流 (IMAX)：1.25A
  • オン抵抗 (RON)
    • VIN = 5V で 116mΩ (標準値)
    • VIN = 3.3V で 115mΩ (標準値)
    • VIN = 1.8V で 133mΩ (標準値)
  • 出力短絡保護 (ISC)：3A (標準値)
  • 低い消費電力：
    • オン状態 (IQ)：8.3µA (標準値)
    • オフ状態 (ISD)：3nA (標準値)
  • 低速のターンオン・タイミングによる突入電流制限 (tON)：
    • 5V 時の tON = 1.68ms (3.61mV/µs 時)
    • 3.3V 時の tON = 1.51ms (2.91mV/µs 時)
    • 1.8V 時の tON = 1.32ms (2.15 mV/µs 時)
  • 出力放電および立ち下がり時間を変更可能
    • VIN = 3.3V での内部 QOD 抵抗 = 9.2Ω（標準値）
  • 宇宙向け強化プラスチック (SEP)
    • 管理されたベースライン
    • 金ボンド・ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 軍用温度範囲：-55℃～125℃
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間 (PCN) の延長
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出

TPS7H2221-SEP デバイスは、スルー・レート制御機能付きの小型シングル・チャネル負荷スイッチです。このデバイスは、1.6V～5.5V の入力電圧範囲で動作できる N チャネル MOSFET を内蔵し、最大 1.25A の連続電流をサポートします。

スイッチのオン状態はデジタル入力により制御され、この入力は低電圧の制御信号と直接接続できます。電源が最初に印加されたときには、スマート・プルダウンを使用して、システムのシーケンシングが完了するまで、ON ピンがフローティング状態になることが防止されます。ピンが意図的に High (VON>VIH) に駆動されると、不必要な電力損失を避けるため、スマート・プルダウンは切断されます。

また、TPS7H2221-SEP 負荷スイッチには自己保護機能があり、デバイスの出力が短絡した場合も自身を保護できます。

TPS7H2221-SEP は標準の SC-70 パッケージで供給され、-55℃～125℃の接合部温度範囲で仕様が規定されています。

TPS7H2221-SEP デバイスは、スルー・レート制御機能付きの小型シングル・チャネル負荷スイッチです。このデバイスは、1.6V～5.5V の入力電圧範囲で動作できる N チャネル MOSFET を内蔵し、最大 1.25A の連続電流をサポートします。

スイッチのオン状態はデジタル入力により制御され、この入力は低電圧の制御信号と直接接続できます。電源が最初に印加されたときには、スマート・プルダウンを使用して、システムのシーケンシングが完了するまで、ON ピンがフローティング状態になることが防止されます。ピンが意図的に High (VON>VIH) に駆動されると、不必要な電力損失を避けるため、スマート・プルダウンは切断されます。

また、TPS7H2221-SEP 負荷スイッチには自己保護機能があり、デバイスの出力が短絡した場合も自身を保護できます。

TPS7H2221-SEP は標準の SC-70 パッケージで供給され、-55℃～125℃の接合部温度範囲で仕様が規定されています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H2221-SEP 耐放射線特性、5.5V、1.25A、115mΩ のロード・スイッチ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 12月 5日
* VID TPS7H2221-SEP VID V62-22609 2022年 12月 22日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2221-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2022年 9月 28日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2221-SEP Production Flow and Reliability Report 2022年 9月 22日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 2022年 8月 18日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H2221-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2022年 7月 12日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
技術記事 低軌道アプリケーションにおける宇宙用拡張製品による課題への対処方法 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 1月 12日
技術記事 航太級強化產品如何因應低地球軌道應用的挑戰 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
技術記事 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
e-Book（PDF） Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H2221EVM — TPS7H2221 1.6V ～ 5.5V 入力、1.25A ロード スイッチの評価基板

TPS7H2221 評価基板 (EVM) は、TPS7H2221-SEP ロード スイッチの並列動作を実証します。この評価基板を使用すると、並列回路を 2 つの独立したシングル デバイス回路に分離し、カスタマイズ済みの構成をテストできるように、追加の受動部品を実装するためのフットプリントを確保することができます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — AMD Versal コア XQRVC1902 ACAP と TI の耐放射線特性製品を採用した Alpha Data の ADM-VA601 キット

これは 6U の VPX フォーム ファクタで、AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 適応型 SoC/FPGA を提示します。ADM-VA600 は、1 個の FMC+ コネクタ、DDR4 DRAM、システム監視機能を搭載したモジュール型ボードのデザインです。主な部品は、耐放射線特性のパワー マネージメント、インターフェイス、クロック処理機能、組込みプロセッシング (-SEP) の各デバイスです。

購入先：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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シミュレーション・モデル

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
ダウンロード
リファレンス・デザイン

TIDA-050088 — 耐放射線特性、Versal AI エッジ 向け電源のリファレンス デザイン

これは、AMD の Versal™ AI Edge XQRVE2302 用耐放射線電源アーキテクチャのリファレンス デザインです。Versal Edge は、宇宙アプリケーション向けの採用システムオンチップ (SoC) であり、小型フォームファクタで高レベルの性能を実現します。この設計を宇宙環境で最大限に使用するには、信頼性の高い電力供給が不可欠です。この電力設計は、各種のレールに電力を供給する複数のデバイスとシーケンサを搭載しており、レールを適切に順序付け、監視します。
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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