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SLVRBI3 — Full Bridge Driver Junction Temperature Estimator
Full Bridge Driver Junction Temperature Estimator
データシート
DRV8245-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- 動作範囲：4.5V～35V (絶対最大定格 40V)
- VQFN-HR パッケージ：RON_LS + RON_HS：32mΩ
- HTSSOP パッケージ：RON_LS + RON_HS：40mΩ
- IOUT (最大値) = 32A
- 最大 25kHz の PWM 周波数動作 、自動デッド・タイム生成付き
- 設定可能なスルーレートと拡散スペクトラム・クロックによる低い電磁干渉 (EMI)
- 電流センス内蔵 (シャント抵抗不要)
- IPROPI ピンへの比例負荷電流出力
- 設定可能な電流レギュレーション
- フォルト応答 (ラッチまたは再試行) を設定可能な保護および診断機能
- オフ状態とオン状態の両方で負荷診断を行い、開放負荷および短絡を検出
- 電源 (VM) の電圧監視
- 過電流保護
- 過熱保護
- nFAULT ピンによるフォルト通知
- 3.3V および 5V のロジック入力電圧をサポート
- 低いスリープ電流、25℃で 1µA (標準値)
- 3 つのバリアント - HW (H)、SPI (S)、SPI (P)
- 設定可能な制御モード：
- PWM または PH/EN モードを使用するシングル・フルブリッジ
- 独立モードを使用する 2 つのハーフブリッジ
- デバイス・ファミリの比較表
DRV824x-Q1 デバイス・ファミリは、多様な車載用アプリケーション向けの統合型 H ブリッジ・ドライバです。このデバイスは、シングル・フルブリッジ・ドライバとして、または 2 つの独立したハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。パワー・パッケージに収容されたこのモノリシック・デバイス・ファミリは、BiCMOS 大電力プロセス・テクノロジー・ノードを採用した設計であり、優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ・サイズ、使いやすいレイアウト、EMI 制御能力、高精度の電流センス、信頼性、診断機能も実現しています。このファミリには、同じピン機能でスケーラブルな RON (電流容量) のデバイスがあり、さまざまな負荷に対応できます。
このデバイスには、N チャネル H ブリッジ、チャージ・ポンプ・レギュレータ、ハイサイド電流検出およびレギュレーション、電流比例出力、保護回路が内蔵されています。低消費電力のスリープ・モードにより、低い静止電流を実現できます。このデバイスは、電圧監視機能、負荷診断機能、さらに過電流および過熱に対する保護機能を搭載しています。フォルト状態は、nFAULT ピンにより通知されます。このデバイスには、3 種類のバリアントが用意されています。- ハードワイヤード・インターフェイス：HW (H) および 2 つの SPI インターフェイス・バリアント：SPI (P) と SPI (S) があり、SPI (P) はロジック電源が外部から供給され、SPI (S) はロジック電源が内部で生成されます。SPI インターフェイス・バリアントは、デバイス構成とフォルト監視において、より高い柔軟性があります。
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技術資料
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV8245-Q1 車載用 H ブリッジ・ ドライバ、内蔵電流センスおよび診断機能付き データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 1月 5日 |
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| 機能安全情報 | DRV8245-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 12月 6日 | |||
| アプリケーション・ノート | Calculating Power Dissipation for a H-Bridge or Half Bridge Driver (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 7月 22日 |
設計および開発
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評価ボード
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DRV824x-Q1 デバイス ファミリは、多様な車載アプリケーションを想定した統合型 H ブリッジ ドライバです。DRV824x-Q1 デバイスは、単一の H ブリッジ ドライバ、または互いに独立した 2 個のハーフブリッジ ドライバとして構成できます。このモノリシック ダイ デバイスは、TI ( テキサス・インスツルメンツ) 独自の大電力 BiCMOS プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、パワー パッケージ封止を通じて優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズや、使いやすいレイアウト、EMI (...)
評価ボード
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設計ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 28 | Ultra Librarian |
| VQFN-HR (RXZ) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。