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UCC27332-Q1

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Automotive 20V VDD, 9A/9A single-channel driver and enable

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产品详情

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 业界通用引脚排列
  • 典型的 9A 灌电流、9A 拉电流输出
  • 输入引脚可承受高达 -5V 的电压
  • 绝对最大 VDD 电压：20V
  • 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
  • 典型值为 25ns 的传播延迟
  • TTL 兼容输入阈值
  • 工作结温范围：–40°C 至 125°C
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 业界通用引脚排列
  • 典型的 9A 灌电流、9A 拉电流输出
  • 输入引脚可承受高达 -5V 的电压
  • 绝对最大 VDD 电压：20V
  • 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
  • 典型值为 25ns 的传播延迟
  • TTL 兼容输入阈值
  • 工作结温范围：–40°C 至 125°C

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 开关管。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9A，这有助于缩短开关管的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27332-Q1 可以在输入端处理 –5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27332-Q1 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在上述情况下具有优异的性能。

如果 VDD 电压低于指定的上电复位阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可优化栅极驱动器放置并改进布局。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 开关管。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9A，这有助于缩短开关管的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27332-Q1 可以在输入端处理 –5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27332-Q1 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在上述情况下具有优异的性能。

如果 VDD 电压低于指定的上电复位阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可优化栅极驱动器放置并改进布局。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC27322Q1EVM — 具有使能端的 UCC27322-Q1 汽车通道 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

UCC2732X-Q1 是一个高速驱动器系列，这些高速驱动器能够提供高达 9A 的峰值驱动电流，可针对因高 dv/dt 转换而需要极端米勒电流的系统进行优化。EVM 可以评估所提供的两个逻辑选项（反相(UCC27321-Q1）和同相（UCC27322-Q1)）。  UCC27321-Q1 具有使能 (ENBL) 功能，以更好地控制驱动器应用的运行，为方便起见，已将此功能在 EVM 上进行了细分。此驱动器系列可用作低功耗控制器（分立式控制器、DSP、MCU 或微处理器）和功率 MOSFET 之间的接口。

用户指南: PDF
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评估板

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 具有使能功能的单通道 18V、9A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块

UCC27332-Q1 评估模块主要用于评估 UCC27332-Q1 的性能。此驱动器是一款 20V VDD 低侧驱动器，具有 9A 峰值拉电流和 9A 峰值灌电流，用于驱动 N 沟道 MOSFET。该评估板还可用于评估支持的封装中的其他引脚对引脚兼容器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
测试报告: PDF
参考设计

PMP41139 — 3.5kW，800V 至 14V DC/DC 转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流转换器。该转换器使用堆叠半桥 (SHB) 拓扑，能够使用 650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸较小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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