PMP41139
3.5kW，800V 至 14V DC/DC 转换器参考设计
PMP41139
概述
此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流转换器。该转换器使用堆叠半桥 (SHB) 拓扑，能够使用 650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸较小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
特性
- 800V 电池系统中基于 GaN 的 650V 堆叠半桥 (SHB)，使用 LMG3522
- 开关频率为 200kHz，磁体尺寸比 100kHz 的情况低 35%
- 200kHz、800V 输入电压、13.5V 输出电压、大约 1kW 时效率为 95.48%
- 双有源钳位电路适用于高频场景和低同步整流器 (SR) MOSFET 电压应力
- 轻负载效率优化可将效率提升高达 5%
| 输出电压选项 | PMP41139.1 |
|---|---|
| 输入电压（最小值）(V) | 400 |
| 输入电压（最大值）(V) | 900 |
| 输出电压（标称值）(V) | 14 |
| Iout（最大值）(A) | 250 |
| 输出功率 (W) | 3500 |
| 隔离/非隔离 | Isolated |
| 输入类型 | DC |
| 拓扑 | Full Bridge- Phase Shifted |
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设计文件和产品
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产品
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技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | 3.5kW, 800V to 14V DC-DC Converter Reference Design | PDF | HTML | 2025-2-28 |