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霍尔效应电流传感器

TMCS1133-Q1

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具有 AFR 和警报功能的汽车级 1MHz 霍尔效应电流传感器

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TMCS1133-Q1

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产品详情

Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移： ±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差： ±0.2mV
    • 偏移热漂移：±10µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 快速响应
    • 信号带宽：1MHz
    • 响应时间：120ns
    • 传播延迟：50ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 20mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移： ±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差： ±0.2mV
    • 偏移热漂移：±10µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 快速响应
    • 信号带宽：1MHz
    • 响应时间：120ns
    • 传播延迟：50ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 20mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1133-Q1 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

TMCS1133-Q1 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。
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应用手册 在高电磁干扰应用中使用 TMCS11xx PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 4月 24日
证书 TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡（不包括 IC）

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流，同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB，预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构，因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

用户指南: PDF | HTML
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评估板

TMCS1133EVM — TMCS1133 评估模块

TMCS1133EVM 评估模块 (EVM) 工具旨在实现 TMCS1133 的快速便捷应用，TMCS1133 是一款采用内部基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监测器。此 EVM 支持用户在霍尔输入侧提供最大工作电流，同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此固定装置布局并非作为目标电路的模型使用，也不针对电磁 (EMI) 测试进行布局。该 EVM 由单个印刷电路板 (PCB) 构成，可拆分为五个单独部分，支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化（A = 2.5V、B = 1.65V 或 C = 0.33V）。

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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B7A)

SBOMCR4.ZIP (7 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B8A)

SBOMCR5.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133C9A)

SBOMCR6.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x2A)

SBOMCR0.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x3A)

SBOMCR1.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x4A)

SBOMCR2.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x5A)

SBOMCR3.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI Reference Design
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计算工具

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
霍尔效应电流传感器
TMCS1100 — 具有外部基准的 ±600V 基本隔离、20Arms、80kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1101-Q1 — 符合 AEC-Q100 标准且具有内部基准的 ±600V 隔离式精密电流传感器 TMCS1100-Q1 — 符合 AEC-Q100 标准且具有外部基准的 ±600V 隔离式精密电流传感器 TMCS1101 — 具有基准的 ±600V 基本隔离、20Arms、80kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1107 — 具有基准的 ±420V 基本隔离、20Arms、80kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1107-Q1 — 具有内部基准、符合 AEC-Q100 标准的 ±420V 隔离式霍尔效应电流传感器 TMCS1108 — 具有基准的 ±100V 基本隔离、20Arms、80kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1108-Q1 — 符合 AEC-Q100 标准且具有内部基准的 ±100V 隔离式霍尔效应电流传感器 TMCS1123 — 具有 AFR、基准和警报功能的 ±1300V 增强型隔离、80ARMS 250kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1123-Q1 — 具有 AFR 和警报功能的 AEC-Q100 标准 80ARMS 霍尔效应电流传感器 TMCS1126 — 具有 AFR、基准和警报功能的 80ARMS 500kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1126-Q1 — 具有 AFR、基准和警报功能且符合 AEC-Q100 标准的 80ARMS、500kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1127 — 具有 AFR 功能的 80ARMS、250kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1127-Q1 — 符合 AEC-Q100 标准、具有 AFR 功能的 80ARMS、250kHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1133 — 具有 AFR 和警报功能的 80ARMS、1MHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1133-Q1 — 具有 AFR 和警报功能的汽车级 1MHz 霍尔效应电流传感器 TMCS1143 — 125ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference, OCP and ALERT TMCS1148 — 具有 OCP、基准和 AFR 功能的 125ARMS 500kHz 霍尔效应电流传感器
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参考设计

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
测试报告: PDF
参考设计

PMP41139 — 3.5kW，800V 至 14V DC/DC 转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流转换器。该转换器使用堆叠半桥 (SHB) 拓扑，能够使用 650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸较小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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