PMP41078
采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计
PMP41078
概述
此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
特性
- 基于 GaN 的相移全桥 (PSFB) 采用 LMG3522 且通过 C29 微控制器单元 (MCU) 进行控制
- 开关频率为 200kHz，磁体尺寸比 100kHz 的情况低 35%
- 200kHz、400V 输入电压、13.5V 输出电压、大约 1kW 时效率为 95.48%
- 双有源钳位电路适用于高频场景和低同步整流器 (SR) MOSFET 电压应力
- 轻负载效率优化可将效率提升高达 5%
| 输出电压选项 | PMP41078.1 |
|---|---|
| 输入电压（最小值）(V) | 200 |
| 输入电压（最大值）(V) | 450 |
| 输出电压（标称值）(V) | 14 |
| Iout（最大值）(A) | 250 |
| 输出功率 (W) | 3500 |
| 隔离/非隔离 | Isolated |
| 输入类型 | DC |
| 拓扑 | Full Bridge- Phase Shifted |
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
下载现成的系统文件，加快您的设计过程。
产品
在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。
C2000 实时微控制器
TMS320F28P659DK-Q1 — 具有 2 个 C28x+CLA CPU、1.28MB 闪存、16 位 ADC、HRPWM、CAN-FD、AES 和锁步功能的 C2000™ 32 位 MCU
技术文档
=
TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT (Rev. A) | PDF | HTML | 2024-12-9 | ||
| 技术文章 | 在高开关频率下为整流器设计有源钳位电路 | PDF | HTML | 英语版 | 2025-8-13 |