TPS737
- 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
- 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压
- 传统器件:1A 时典型值为 130mV
- 新器件:1A 时典型值为 122mV
- 即使使用仅为 1µF 的输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 初始精度:1%
- 在线路、负载和温度范围内总精度
- 传统器件:3%
- 新器件:1.5%
- 关断模式下典型 IQ 小于 20nA
- 通过热关断和电流限制实现故障保护
- 提供了多个输出电压版本:
- 可调输出:1.20V 至 5.5V
- 使用工厂封装级编程,可提供定制输出
TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑也可实现超低压降。
TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。采用全新制造流程的器件拥有最新设计,新器件采用 TI 最新工艺技术。未启用时,电流消耗小于 20nA,适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
对于需要更高输出电压精度的应用,请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。
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设计和开发
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此 EVM 还允许连接到智能放大器学习板 v2,从而可为您的应用独树一帜地增加更多扬声器,同时还可使用 PPC3 的高级特性。
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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