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Protocols Analog, I2C, I3C, LVDS, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 900 Supply voltage (max) (V) 4.3 Ron (typ) (mΩ) 6000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 7 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -54 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 2 CON (typ) (pF) 7.5 Off isolation (typ) (dB) -40 OFF-state leakage current (max) (µA) 2 Ron (max) (mΩ) 10000 Ron channel match (max) (Ω) 0.35 Turnoff time (disable) (max) (ns) 30 Turnon time (enable) (max) (ns) 30 VIH (min) (V) 1.3 VIL (max) (V) 0.5 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I3C, LVDS, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 900 Supply voltage (max) (V) 4.3 Ron (typ) (mΩ) 6000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 7 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -54 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 2 CON (typ) (pF) 7.5 Off isolation (typ) (dB) -40 OFF-state leakage current (max) (µA) 2 Ron (max) (mΩ) 10000 Ron channel match (max) (Ω) 0.35 Turnoff time (disable) (max) (ns) 30 Turnon time (enable) (max) (ns) 30 VIH (min) (V) 1.3 VIL (max) (V) 0.5 Rating Catalog
UQFN (RSW) 10 2.52 mm² 1.8 x 1.4 VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² 3 x 4.9
  • VCC 工作电压为 3V 至 4.3V
  • I/O 引脚可耐受电压高达 5.25V 的电压
  • 兼容 1.8V 控制逻辑
  • 支持关断保护,当 VCC = 0V 时,I/O 引脚处于高阻抗状态
  • RON = 10Ω(最大值)
  • ΔRON = 0.35Ω(典型值)
  • Cio(ON) = 7.5pF(典型值)
  • 低功耗(最大值为 1uA)
  • –3dB 带宽 = 900MHz(典型值)
  • 闩锁性能超过
    100mA,符合 JESD 78 II 类规范 (1)
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 8000V 人体放电模型
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • ESD 性能 I/O 端口接地 (2)
    • 15000V 人体放电模型

(1)EN 和 SEL 输入除外

(2)除标准 HBM 测试(A114-B,II 类)外还执行了高压 HBM 测试,仅适用于进行接地测试的 I/O 端口。

  • VCC 工作电压为 3V 至 4.3V
  • I/O 引脚可耐受电压高达 5.25V 的电压
  • 兼容 1.8V 控制逻辑
  • 支持关断保护,当 VCC = 0V 时,I/O 引脚处于高阻抗状态
  • RON = 10Ω(最大值)
  • ΔRON = 0.35Ω(典型值)
  • Cio(ON) = 7.5pF(典型值)
  • 低功耗(最大值为 1uA)
  • –3dB 带宽 = 900MHz(典型值)
  • 闩锁性能超过
    100mA,符合 JESD 78 II 类规范 (1)
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 8000V 人体放电模型
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • ESD 性能 I/O 端口接地 (2)
    • 15000V 人体放电模型

(1)EN 和 SEL 输入除外

(2)除标准 HBM 测试(A114-B,II 类)外还执行了高压 HBM 测试,仅适用于进行接地测试的 I/O 端口。

TMUX154E 是一款高带宽 2:1 开关,专门针对限制 I/O 的应用中的 高速信号开关 进行设计。此开关具有较宽的带宽 (900MHz),这一特性使得信号传递具有最少的边缘失真和相位失真。此开关为双向开关,高速信号衰减极少或者没有。它能实现低位间偏移和高通道间噪声隔离。

TMUX154E 在所有引脚上集成了 ESD 保护单元,采用微型 UQFN 封装 (1.8mm × 1.4mm) 或 VSSOP 封装,自然通风条件下的工作温度范围为 –40°C 至 85°C。

TMUX154E 是一款高带宽 2:1 开关,专门针对限制 I/O 的应用中的 高速信号开关 进行设计。此开关具有较宽的带宽 (900MHz),这一特性使得信号传递具有最少的边缘失真和相位失真。此开关为双向开关,高速信号衰减极少或者没有。它能实现低位间偏移和高通道间噪声隔离。

TMUX154E 在所有引脚上集成了 ESD 保护单元,采用微型 UQFN 封装 (1.8mm × 1.4mm) 或 VSSOP 封装,自然通风条件下的工作温度范围为 –40°C 至 85°C。

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技术文档

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设计和开发

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评估板

AM261-SOM-EVM — AM261x 模块上控制系统评估模块

AM261-SOM-EVM 是一款适用于德州仪器 (TI) Sitara™ AM261x 系列微控制器 (MCU) 的评估和开发板。其具有三个 120 引脚高速/高密度连接器的模块上系统设计非常适合初始评估和快速原型设计。评估 AM261-SOM-EVM 时需要使用 XDS110ISO-EVM(可单独购买)。

用户指南: PDF | HTML
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TI.com 上无现货
评估板

HSEC180ADAPEVM-AM2 — 适用于 AM261x 模块上系统 (SOM) 评估模块的 HSEC180 适配器板

此评估模块是一款 180 引脚高速边缘卡 (HSEC) 适配器,适用于 TI AM261x 模块上系统 (SOM) 平台,使基于 SOM 的平台能够向后兼容基于 Sitara™/C2000™ HSEC 的 EVM。HSEC180ADAPEVM-AM2 将 SOM 板的 180 个引脚连接到 HSEC 引脚,以便与传统的 Sitara/C2000 HSEC 扩展坞搭配使用,例如 TMDSHSECDOCK-AM263 和 TMDSHSECDOCK。

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接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

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TI.com 上无现货
接口适配器

LEADLESS-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于测试 TI 的 6、8、10、12、14、16 和 20 引脚无引线封装

EVM-LEADLESS1 板可用于对 TI 的常见无引线封装进行快速测试和电路板试验。  该评估板有足够的空间,可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转为 100mil DIP 接头。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TMUX154E TINA-TI Reference Design

SCDM178.TSC (409 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TMUX154E TINA-TI Spice Model

SCDM179.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UQFN (RSW) 10 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 10 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频