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TLE2064AM-D

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采用 SOIC-14 封装的军用级、四通道、36V、2MHz、输入接近 V+、1.5mv 失调电压、JFET 输入运算放大器

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TLE2064AM-D

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产品详情

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.312 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.312 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
  • TL06x 和 TL03x 运算放大器的 2 倍带宽 (2MHz)
  • 低电源电流：290µA/Ch (典型值)
  • 微调片上失调电压，可提高直流性能
  • 指定为 100Ω 负载的高输出驱动
  • 噪底比前几代低功耗的 BiFET 更低
  • TL06x 和 TL03x 运算放大器的 2 倍带宽 (2MHz)
  • 低电源电流：290µA/Ch (典型值)
  • 微调片上失调电压，可提高直流性能
  • 指定为 100Ω 负载的高输出驱动
  • 噪底比前几代低功耗的 BiFET 更低

TLE206x 系列低功耗 JFET 输入运算放大器可将早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的带宽加倍，但不会显著增加功耗。德州仪器 (TI) 的 Excalibur 工艺还可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失调电压的片上齐纳微调可为直流耦合应用生成精密等级。TL206x 器件与其他德州仪器 (TI) BiFET 兼容，为此，该器件能让 TL06x 和 TL03x 电路的带宽加倍，或将 TL05x、TL07x 和 TL08x 电路的功耗降低近 90%。

BiFET 运算放大器提供的 JFET 输入晶体管，其固有的输入阻抗更高，然并不会降低与双极放大器相关的输出驱动。这些器件特性专为连接高阻抗传感器或低电平交流信号而设计。此外，与具有类似功耗的双极或 CMOS 器件相比，这些器件本身具有更好的交流响应。TLE206x 系列具有高输出驱动电路，能够在低至 ±5V 的电源电压下驱动 100Ω 的负载。这使得它们特别适合驱动调制解调器中的变压器负载以及其他需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中。

由于 BiFET 运算放大器设计用于双电源，因此在采用单电源供电时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要输入信号的直流偏置，负载必须端接至 1/2 Vs 的虚拟接地节点。德州仪器 (TI) TLE2426 集成式虚拟接地发生器在通过单电源运行 BiFET 放大器时非常有用。

TLE206x 的额定工作电压为 ±15V 和 ±5V。若要在低电压或单电源系统中运行，建议使用德州仪器 (TI) LinCMOS 系列运算放大器（TLC- 和 TLV- 前缀）。从 BiFET 迁移到 CMOS 放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求以及输出负载。德州仪器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 运算放大器是理想的选择。

TLE206x 系列低功耗 JFET 输入运算放大器可将早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的带宽加倍，但不会显著增加功耗。德州仪器 (TI) 的 Excalibur 工艺还可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失调电压的片上齐纳微调可为直流耦合应用生成精密等级。TL206x 器件与其他德州仪器 (TI) BiFET 兼容，为此，该器件能让 TL06x 和 TL03x 电路的带宽加倍，或将 TL05x、TL07x 和 TL08x 电路的功耗降低近 90%。

BiFET 运算放大器提供的 JFET 输入晶体管，其固有的输入阻抗更高，然并不会降低与双极放大器相关的输出驱动。这些器件特性专为连接高阻抗传感器或低电平交流信号而设计。此外，与具有类似功耗的双极或 CMOS 器件相比，这些器件本身具有更好的交流响应。TLE206x 系列具有高输出驱动电路，能够在低至 ±5V 的电源电压下驱动 100Ω 的负载。这使得它们特别适合驱动调制解调器中的变压器负载以及其他需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中。

由于 BiFET 运算放大器设计用于双电源，因此在采用单电源供电时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要输入信号的直流偏置，负载必须端接至 1/2 Vs 的虚拟接地节点。德州仪器 (TI) TLE2426 集成式虚拟接地发生器在通过单电源运行 BiFET 放大器时非常有用。

TLE206x 的额定工作电压为 ±15V 和 ±5V。若要在低电压或单电源系统中运行，建议使用德州仪器 (TI) LinCMOS 系列运算放大器（TLC- 和 TLV- 前缀）。从 BiFET 迁移到 CMOS 放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求以及输出负载。德州仪器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 运算放大器是理想的选择。
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技术文档

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* 数据表 TLE206x、TLE206xA、TLE206xB Excalibur JFET-输入高输出驱动 μPower 运算放大器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 23日
* SMD TLE2064AM-D SMD 5962-90809 2016年 6月 21日
电子书 The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 英语版 2018年 1月 31日
应用手册 TLE206x/TLE206xA/TLE206xB EMI Immunity Performance 2013年 6月 9日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：

  • D（SOIC-8 和 SOIC-14）
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
  • DCK（SC70-5 和 SC70-6）
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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计算工具

ANALOG-ENGINEER-CALC — 模拟工程师计算器

模拟工程师计算器旨在加快模拟电路设计工程师经常运用的许多重复性计算。该基于 PC 的工具提供图形界面，其中显示各种常见计算列表，从使用反馈电阻器设置运算放大器增益到选择合适的电路设计元件，以稳定模数转换器 (ADC) 驱动器缓冲器电路。

除了可用作独立工具之外，该计算器还能很好地与模拟工程师口袋参考中所述的概念配合使用。

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设计工具

CIRCUIT060013 — 采用 T 网络反馈电路的反相放大器

该设计将输入信号 VIN 反相并应用 1000V/V 或 60dB 的信号增益。具有 T 反馈网络的反相放大器可用于获得高增益，而无需 R4 具有很小的值或反馈电阻器具有很大的值。
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设计工具

CIRCUIT060015 — 可调节基准电压电路

该电路结合了一个反相和同相放大器，可使基准电压在正负输入电压范围内进行调节。可通过增加增益来提高最大负基准电压电平。
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设计工具

CIRCUIT060074 — 采用比较器的高侧电流检测电路

该高侧电流检测解决方案使用一个具有轨到轨输入共模范围的比较器，如果负载电流上升至超过 1A，则在比较器输出端 (COMP OUT) 产生过流警报 (OC-Alert) 信号。该实现中的 OC-Alert 信号低电平有效。因此，当超过 1A 阈值后，比较器输出变为低电平。实施磁滞以确保在负载电流减小至 0.5A（减少 50%）时，OC-Alert 返回到逻辑高电平状态。该电路使用漏极开路输出比较器，从而对输出高逻辑电平进行电平转换，以控制数字逻辑输入引脚。对于需要驱动 MOSFET 开关栅极的应用，最好使用具有推挽输出的比较器。
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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模拟工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能，允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能，但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 封装厂地点

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