データシート
UC1825B-SP
- QML-V 認定済み、SMD 5962-8768106
- 5962 R8768106VYC:
- 最大 100krad (Si) の総電離線量 (TID) までの放射線硬度保証 (RHA) (1)
- 電圧または電流モード・トポロジと互換
- 最大 1MHz の実用動作スイッチング周波数
- 出力への伝播遅延 50ns
- 大電流のデュアル・トーテム・ポール出力 (2A ピーク)
- 広帯域幅のエラー・アンプ
- 二重パルス抑制機能を備えた完全ラッチ付きロジック
- パルス単位の電流制限
- ソフトスタート / 最大デューティ・サイクル制御
- ヒステリシス付きの低電圧誤動作防止
- 低いスタートアップ電流 (1.1mA)
(1)放射線耐性は、線量率=10mrad(Si)/s での初期デバイス認定に基づく標準値です。放射線ロット受け入れテストも実施可能です。詳しくは弊社にお問い合わせください。
UC1825B-SP PWM 制御デバイスは、高周波数のスイッチ・モード電源アプリケーション用に最適化されています。コンパレータとロジック回路の伝播遅延を最小化し、エラー・アンプの帯域幅とスルーレートを最大化するように特に配慮しました。このコントローラは、入力電圧フィードフォワード機能を備えた電流モードまたは電圧モード・システムで使用するよう設計されています。
保護回路には、1V スレッショルドの電流制限コンパレータ、TTL 互換のシャットダウン・ポート、最大デューティ・サイクル・クランプとしても使用可能なソフトスタート・ピンが含まれます。ロジックは完全にラッチされるため、ジッタフリーで動作し、一度に複数のパルスを出力しません。低電圧誤動作防止セクションに 800mV のヒステリシスを持たせることで、スタートアップ時に電流が確実に低減されるようにしています。低電圧誤動作防止の動作中、出力は高インピーダンスになります。
このデバイスは、パワー MOSFET のゲートなどの容量性負荷に大きなピーク電流をソースおよびシンクするよう設計されたトーテム・ポール出力を備えています。オン状態は HIGH レベルに設計されています。
お客様が関心を持ちそうな類似品
比較対象デバイスと類似の機能
技術資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
16 をすべて表示 設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
UC1825BEVM-CVAL — 5V/50W プッシュプル評価基板
UC1825B-SP EVM は、プッシュプル トポロジを使用した SP プロセスの機能を実証します。UC1901-SP と組み合わせることで、コントローラは絶縁型と非絶縁型の両方のレギュレーション要件を実現できます。このデザインは、出力チョークを使用して、非常に低いリップルを実現し、出力電圧で高精度を達成しています。
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル
UC1825 TINA-TI Transient Reference Design
SLUM653.TSC (5219 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル
UC1825 Unencrypted TINA-TI Transient Spice Model
SLUM673.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
CFP (HKT) | 16 | Ultra Librarian |
DIESALE (KGD) | — |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点