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LMH5401-SP

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放射線耐性保証（RHA）、6.5GHz 超広帯域完全差動アンプ

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製品詳細

Type Active Balun, RF FDA Frequency (min) (MHz) 0 Frequency (max) (MHz) 6500 Gain (typ) (dB) 12 Noise figure (typ) (dB) 12.5 OIP3 (typ) (dBm) 37.5 P1dB (typ) (dBm) 12 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 1 3rd harmonic (dBc) -70 OIP2 (typ) (dBm) 54 2nd harmonic (dBc) -58 Supply voltage (V) 5 Current consumption (mA) 60 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 85 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
Type Active Balun, RF FDA Frequency (min) (MHz) 0 Frequency (max) (MHz) 6500 Gain (typ) (dB) 12 Noise figure (typ) (dB) 12.5 OIP3 (typ) (dBm) 37.5 P1dB (typ) (dBm) 12 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 1 3rd harmonic (dBc) -70 OIP2 (typ) (dBm) 54 2nd harmonic (dBc) -58 Supply voltage (V) 5 Current consumption (mA) 60 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 85 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
LCCC-FC (FFK) 14 33 mm² 6 x 5.5
  • QMLV (QML Class V) MIL-PRF-38535 認定済み、SMD 5962R1721401VXC
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • 単一イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:
      LET = 85MeV-cm2/mg
    • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃) 全体で認定済み
  • ゲイン帯域幅積 (GBP): 6.5GHz
  • 優れた直線性:
    DC～2GHz
  • スルーレート: 17,500V/µs
  • 小さな HD2、HD3 歪み
    (500mVPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 100MHz: HD2で-91dBc、HD3で-95dBc
    • 200MHz: HD2で-86dBc、HD3で-85dBc
    • 500MHz: HD2で-80dBc、HD3で-80dBc
    • 1GHz: HD2で-53dBc、HD3で-70dBc
    • 2GHz: HD2で-68dBc、HD3で-56dBc
  • 小さな IMD2、IMD3 歪み
    (1VPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 500MHz: IMD2で-90dBc、IMD3で-79dBc
    • 1GHz: IMD2で-80dBc、IMD3で-61dBc
    • 2GHz: IMD2で-64dBc、IMD3で-42dBc
  • 高いOIP2、OIP3: Gp = 8dB(1)
    • 500MHz: OIP2で91dBm、OIP3で47.7dBm
    • 1GHz: OIP2で80dBm、OIP3で37.5dBm
  • 入力電圧ノイズ: 1.25nV/√Hz
  • 入力電流ノイズ: 3.5pA/√Hz
  • シングルとデュアルの電源による動作をサポート
  • 消費電流: 60mA
  • パワーダウン機能 (1)

(1)電力ゲイン (Gp) = 8dB、電圧ゲイン (Gv) = 17dB、RLtotal = 200Ω。詳細については「出力基準ノードおよびゲインの項目表記」セクションを参照してください。
  • QMLV (QML Class V) MIL-PRF-38535 認定済み、SMD 5962R1721401VXC
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • 単一イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:
      LET = 85MeV-cm2/mg
    • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃) 全体で認定済み
  • ゲイン帯域幅積 (GBP): 6.5GHz
  • 優れた直線性:
    DC～2GHz
  • スルーレート: 17,500V/µs
  • 小さな HD2、HD3 歪み
    (500mVPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 100MHz: HD2で-91dBc、HD3で-95dBc
    • 200MHz: HD2で-86dBc、HD3で-85dBc
    • 500MHz: HD2で-80dBc、HD3で-80dBc
    • 1GHz: HD2で-53dBc、HD3で-70dBc
    • 2GHz: HD2で-68dBc、HD3で-56dBc
  • 小さな IMD2、IMD3 歪み
    (1VPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 500MHz: IMD2で-90dBc、IMD3で-79dBc
    • 1GHz: IMD2で-80dBc、IMD3で-61dBc
    • 2GHz: IMD2で-64dBc、IMD3で-42dBc
  • 高いOIP2、OIP3: Gp = 8dB(1)
    • 500MHz: OIP2で91dBm、OIP3で47.7dBm
    • 1GHz: OIP2で80dBm、OIP3で37.5dBm
  • 入力電圧ノイズ: 1.25nV/√Hz
  • 入力電流ノイズ: 3.5pA/√Hz
  • シングルとデュアルの電源による動作をサポート
  • 消費電流: 60mA
  • パワーダウン機能 (1)

(1)電力ゲイン (Gp) = 8dB、電圧ゲイン (Gv) = 17dB、RLtotal = 200Ω。詳細については「出力基準ノードおよびゲインの項目表記」セクションを参照してください。

LMH5401-SPは、無線周波数(RF)や中間周波数(IF)のアプリケーション、または高速なDC結合の時間領域アプリケーションに対して最適化された、非常に高性能で放射線耐性が強化された差動アンプです。このデバイスは、アナログ/デジタル・コンバータ(ADC)の駆動時に、シングルエンドから差動への(SE-DE)変換を要するDCまたはAC結合アプリケーションに最適です。LMH5401-SPは、SE-DEまたは差動-差動(DE-DE)モードでの動作時に生じる2次/3次歪みを非常に小さく抑えることができます。



このアンプは、SE-DEとDE-DEの両方のシステムに最適化されており、DCから2GHzまでの、比類のない幅広い帯域幅を使用できます。LMH5401-SPは、テストおよび測定、広帯域通信、高速データ収集など広範なアプリケーションにおいて、外部バランなしの信号チェーンでのSE-DE変換に使用できます。

同相基準電圧入力ピンを使用して、アンプの出力同相をADCの入力要件に合わせることができます。3.3V～5Vの電源を選択可能で、必要であればデュアル電源での動作にも対応します。またパワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することも可能です。

5V電源を使用した場合、300mWという非常に低い消費電力で優れた性能を実現します。このデバイスはTIの先進的な相補型BiCMOSプロセスで製造され、省スペースながら高い性能を発揮するLCCC-14パッケージで供給されます。

LMH5401-SPは、無線周波数(RF)や中間周波数(IF)のアプリケーション、または高速なDC結合の時間領域アプリケーションに対して最適化された、非常に高性能で放射線耐性が強化された差動アンプです。このデバイスは、アナログ/デジタル・コンバータ(ADC)の駆動時に、シングルエンドから差動への(SE-DE)変換を要するDCまたはAC結合アプリケーションに最適です。LMH5401-SPは、SE-DEまたは差動-差動(DE-DE)モードでの動作時に生じる2次/3次歪みを非常に小さく抑えることができます。



このアンプは、SE-DEとDE-DEの両方のシステムに最適化されており、DCから2GHzまでの、比類のない幅広い帯域幅を使用できます。LMH5401-SPは、テストおよび測定、広帯域通信、高速データ収集など広範なアプリケーションにおいて、外部バランなしの信号チェーンでのSE-DE変換に使用できます。

同相基準電圧入力ピンを使用して、アンプの出力同相をADCの入力要件に合わせることができます。3.3V～5Vの電源を選択可能で、必要であればデュアル電源での動作にも対応します。またパワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することも可能です。

5V電源を使用した場合、300mWという非常に低い消費電力で優れた性能を実現します。このデバイスはTIの先進的な相補型BiCMOSプロセスで製造され、省スペースながら高い性能を発揮するLCCC-14パッケージで供給されます。
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技術資料

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* データシート LMH5401-SP 放射線耐性が強化された 6.5GHz、低ノイズ、低消費電力、 ゲインを変更可能な完全差動アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 2月 28日
* 放射線と信頼性レポート Single-Event Effects Test Report of the LMH5401-SP (Rev. B) 2018年 11月 26日
* 放射線と信頼性レポート LMH5401-SP (5962R1721401VXC) Neutron Displacement Damage Characterization 2018年 9月 7日
* 放射線と信頼性レポート LMH5401-SP TID Radiation Report (Rev. A) 2018年 7月 31日
* SMD LMH5401-SP SMD 5962-17214 2018年 5月 3日
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EVM ユーザー ガイド (英語) LMH5401EVM-CVAL Evaluation Module (EVM) (Rev. A) 2018年 9月 21日

設計および開発

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評価ボード

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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