ISO7831

アクティブ

最高絶縁定格、トリプルチャネル、2/1、強化絶縁型デジタル アイソレータ

製品詳細

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • 信号速度:最大 100Mbps
  • 広い電源電圧範囲:2.25V ~ 5.5V
  • 2.25V から 5.5V への電圧変換
  • 広い温度範囲:–55°C ~ 125°C
  • 低い消費電力:1Mbps のとき、チャネルあたり 1.7mA (標準値)
  • 小さい伝搬遅延時間:標準値 11ns (5V電源)
  • 業界をリードする CMTI (最小値):±100kV/µs
  • 堅牢な電磁環境適合性 (EMC)
  • システム レベルでのESD、EFT、サージ耐性
  • 低い放射
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • SOIC-16 幅広 (DW) および超幅広 (DWW) パッケージ オプション
  • 安全関連の認定:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認証

  • 信号速度:最大 100Mbps
  • 広い電源電圧範囲:2.25V ~ 5.5V
  • 2.25V から 5.5V への電圧変換
  • 広い温度範囲:–55°C ~ 125°C
  • 低い消費電力:1Mbps のとき、チャネルあたり 1.7mA (標準値)
  • 小さい伝搬遅延時間:標準値 11ns (5V電源)
  • 業界をリードする CMTI (最小値):±100kV/µs
  • 堅牢な電磁環境適合性 (EMC)
  • システム レベルでのESD、EFT、サージ耐性
  • 低い放射
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • SOIC-16 幅広 (DW) および超幅広 (DWW) パッケージ オプション
  • 安全関連の認定:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認証

ISO7831x デバイスは、8000VPK の絶縁電圧を持つ高性能 3 チャネル デジタル アイソレータです。このデバイスは、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁認証を取得しています。本アイソレータは、CMOS や LVCMOS のデジタル I/O を絶縁しながら、低消費電力で高い電磁気耐性と低い放射を実現します。

それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二酸化ケイ素 (SiO2) の絶縁バリアによって分離されています。このデバイスにはイネーブル ピンがあり、対応する出力を高インピーダンスに移行して、マルチマスタ駆動アプリケーションや、消費電力の低減に使用できます。ISO7831x デバイスには順方向チャネルが 2 つと逆方向チャネルが 1 つあります。入力電源または信号が失われた場合、デフォルトの出力は、、ISO7831 デバイスの場合はhigh、、ISO7831F デバイスの場合も low になります。詳細については、を参照してください。

このデバイスを絶縁型電源と組み合わせて使用すると、データ バスや他の回路上のノイズ電流がローカル グランドに入り込んでノイズに敏感な回路に干渉または損傷を与えることを、防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO7831x は電磁両立性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO7831x は、16 ピン SOIC 幅広 (DW) および超幅広 (DWW) パッケージで供給されます。

ISO7831x デバイスは、8000VPK の絶縁電圧を持つ高性能 3 チャネル デジタル アイソレータです。このデバイスは、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁認証を取得しています。本アイソレータは、CMOS や LVCMOS のデジタル I/O を絶縁しながら、低消費電力で高い電磁気耐性と低い放射を実現します。

それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二酸化ケイ素 (SiO2) の絶縁バリアによって分離されています。このデバイスにはイネーブル ピンがあり、対応する出力を高インピーダンスに移行して、マルチマスタ駆動アプリケーションや、消費電力の低減に使用できます。ISO7831x デバイスには順方向チャネルが 2 つと逆方向チャネルが 1 つあります。入力電源または信号が失われた場合、デフォルトの出力は、、ISO7831 デバイスの場合はhigh、、ISO7831F デバイスの場合も low になります。詳細については、を参照してください。

このデバイスを絶縁型電源と組み合わせて使用すると、データ バスや他の回路上のノイズ電流がローカル グランドに入り込んでノイズに敏感な回路に干渉または損傷を与えることを、防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO7831x は電磁両立性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO7831x は、16 ピン SOIC 幅広 (DW) および超幅広 (DWW) パッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート ISO7831x 高性能、8000VPK 強化絶縁型クワッド デジタル アイソレータ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 26日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
証明書 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
アプリケーション・ノート Digital Isolator Design Guide (Rev. G) PDF | HTML 2023年 9月 13日
ホワイト・ペーパー Improve Your System Performance by Replacing Optocouplers with Digital Isolators (Rev. C) PDF | HTML 2023年 9月 7日
ホワイト・ペーパー Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023年 8月 31日
証明書 CSA Certificate for ISO78xxDWx 2023年 3月 13日
ホワイト・ペーパー Why are Digital Isolators Certified to Meet Electrical Equipment Standards? 2021年 11月 16日
ホワイト・ペーパー Distance Through Insulation: How Digital Isolators Meet Certification Requiremen PDF | HTML 2021年 6月 11日
EVM ユーザー ガイド (英語) Universal Digital Isolator Evaluation Module PDF | HTML 2021年 3月 4日
機能安全情報 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
ホワイト・ペーパー Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A) 2018年 11月 19日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
アプリケーション概要 Considerations for Selecting Digital Isolators 2018年 7月 24日
機能安全情報 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
Analog Design Journal How to reduce radiated emissions of digital isolators for systems with RF module 2018年 3月 26日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
ホワイト・ペーパー ACモーター・ドライブの絶縁: IEC 61800-5-1 安全規格の理解 最新英語版 (Rev.A) 2017年 6月 19日
技術記事 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016年 10月 7日
Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015年 10月 30日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology 2015年 10月 30日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO784xx Quad-Channel Digital Isolator EVM User Guide 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIGI-ISO-EVM — ユニバーサル デジタル アイソレータ評価モジュール

DIGI-ISO-EVM は、以下の 5 種類のパッケージのいずれかに封止されている、TI のシングルチャネル、デュアルチャネル、トリプルチャネル、クワッドチャネル、または 6 チャネル デジタル アイソレータ デバイスの評価に使用できる評価基板です。幅の狭い 8 ピン SOIC (D)、幅の広い 8 ピン SOIC (DWV)、幅の広い 16 ピン SOIC (DW)、超幅広 16 ピン SOIC (DWW)、16 ピン QSOP (DBQ) の各パッケージ。この評価基板 (EVM) は十分な数の Berg ピン (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
評価ボード

ISO7842-EVM — 高イミュニティ、5.7kVRMS 強化絶縁、4 チャネル 2/2 デジタル・アイソレータ評価モジュール

The ISO7842 provides galvanic isolation up to 5700 VRMS for 1 minute per UL and 8000 VPK per VDE. This device has four isolated channels comprised of a logic input and output buffer separated by a silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. Used in conjunction with isolated power supplies, this (...)

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ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフブリッジ ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト ボードです。  この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。  この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。  この評価基板は開ループ ボードなので、過渡測定に適していません。
(...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS Model
リファレンス・デザイン

PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正 (PFC) コンバータのリファレンス デザイン

連続導通モード(CCM)トーテムポール力率補正(PFC)は、シンプルで高効率なパワー コンバータを実現します。  99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。  PMP20873 リファレンス デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル コントローラを使用します。  設計概要で、CCM トーテムポール トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC ライン クロスオーバーでのソフト (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-1007 — 高効率 GaN CCM トーテムポール ブリッジレス力率補正 (PFC) のリファレンス デザイン

インターリーブ連続導通モード (CCM) トーテム ポール (TTPL) ブリッジレス力率改善 (PFC) は、高効率の小型電源を可能にする高バンドギャップ GaN デバイスを使用した魅力的な電源トポロジです。このリファレンス デザインは C2000™ マイコンと LMG3410 GaN FET モジュールを使用してこの出力段を制御します。アダプティブ デッドタイム制御と位相シェディング方式により、効率を向上します。  非線形電圧補償機能は過渡発生時のオーバーシュートとアンダーシュートを低減します。ソフトウェア フェーズ ロック ループ(SPLL)ベース (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02008 — C2000 ™ マイコンを使用した双方向高密度 GaN CCM トーテムポール PFC

3.-kW の双方向、インターリーブ形式の連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段であり、C2000™ リアルタイム制御コントローラと、ドライバや保護機能を統合した GaN (窒化ガリウム) である LMG3410R070 を使用しています。  この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、LMG341x GaN デバイスを使用して、電源の効率向上とサイズ縮小を実現しています。このデザインは、位相シェディングおよびアダプティブ (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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