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設計と開発

LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

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概要

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフブリッジ ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト ボードです。  この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。  この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。  この評価基板は開ループ ボードなので、過渡測定に適していません。
相補型パルス幅変調信号を使用し、対応デッドタイムをボード上で生成するので、必要なパルス幅変調 (PWM) 入力はわずか 1 つです。  短いグランド スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できるように、複数のプローブ ポイントを搭載しています。
LMG3410-HB-EVM は、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載している LMG3410R070 GaN FET を 2 個使用し、1 個のハーフ ブリッジを形成します。  この評価基板は、LMG34XX-BB-EVM やカスタム設計の出力段など、より大規模なシステムと組み合わせて使用できます。  LMG3410R070 を高性能レイアウトに搭載し、利便性の高い接続ポイントを組み合わせて提供しているので、動作波形とインサーキット波形をすばやく簡単に測定できます。

必要な回路がすべて実装されているため、レベル シフトや絶縁は不要です。  補助バイアスは 2 つの方法で生成できます。デフォルトは 5V 単一入力のみを必要とする絶縁型電源で、12V ブートストラップ モードで動作するように構成を変更することも可能です。  露出銅パッドが用意されており、消費電力がより大きい場合にヒートシンク アセンブリを取り付けることができます。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410R070 の性能を評価するシンプルなオープン ループ設計
  • 50 nsのデッドタイムを持つPWM信号用のシングルPWM入力ボード
  • 短いグランド スプリング プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点

  • LMG3410-HB-EVM
デジタル アイソレータ
ISO7831 — 最高絶縁定格、トリプルチャネル、2/1、強化絶縁型デジタル・アイソレータ

 

窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN
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Evaluating LMG3410R070 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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これが必要な理由 This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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評価ボード
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム レベル評価マザーボード
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これが必要な理由 This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-031 — LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード
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資料と関連リソース
アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN
シミュレーション・モデル LMG3410R070 Unencrypted PSpice Model

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TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

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技術資料

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* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017/05/03
データシート LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. F) PDF | HTML 2020/04/06
データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020/01/16
証明書 LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/01/02
技術記事 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016/10/07

サポートとトレーニング

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