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設計と開発

LMG3410EVM-031

LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

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LMG3410EVM-031

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概要

LMG3410EVM-031は、2 個の LMG3410R150 GaN FET をハーフ ブリッジとして構成し、サイクルごとの過電流保護機能と、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載しています。この 評価基板 は、より大規模なシステムと連動するようにデザインされています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410R150 の性能を評価するシンプルな開ループ設計
  • ボード上のPWM信号用シングルPWM入力、50-nsのデッドタイム付き
  • ラッチ型過電流保護機能
  • 短いグランド スプリング プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN
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購入と開発の開始

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Evaluating LMG3410R150 GaN FET power stage

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Evaluating LMG3410R150 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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これが必要な理由 This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

ハードウェア開発
評価ボード
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム レベル評価マザーボード
在庫あり
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LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム レベル評価マザーボード
評価ボード

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

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これが必要な理由 This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
サポート対象の製品とハードウェア

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ドーター・カード
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-031 — LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード LMG3411EVM-031 — LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード
資料と関連リソース
アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN
シミュレーション・モデル LMG3410R150 Unencrypted PSPICE Trans Model Package

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TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

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技術資料

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タイプ タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG3410R150-031 EVM User Guide 2019/04/02
データシート LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020/02/13
証明書 LMG3410EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/04/23

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