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設計および開発

LMG3410EVM-031

LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

購入

LMG3410EVM-031

購入

概要

LMG3410EVM-031は、2 個の LMG3410R150 GaN FET をハーフ ブリッジとして構成し、サイクルごとの過電流保護機能と、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載しています。この 評価基板 は、より大規模なシステムと連動するようにデザインされています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410R150 の性能を評価するシンプルな開ループ設計
  • ボード上のPWM信号用シングルPWM入力、50-nsのデッドタイム付き
  • ラッチ型過電流保護機能
  • 短いグランド スプリング プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3410R150 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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設計ファイル

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SNOC046.ZIP (7139 KB)

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG3410R150-031 EVM User Guide 2019年 4月 2日
データシート LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 2月 13日
データシート LMG341xR150 ドライバおよび保護機能を搭載した 600V、150mΩ GaN データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 8月 26日
証明書 LMG3410EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 4月 23日

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