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設計および開発

LMG3411EVM-018

LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

購入

LMG3411EVM-018

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概要

LMG3411EVM-018は、2つのLMG3411R050 GaN FETをハーフ ブリッジで構成し、サイクルごとの過電流保護機能と必要なすべての補助周辺回路を備えています。  この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3411R050 の性能を評価するシンプルな開ループ設計
  • デッドタイム50 nsのPWM信号用基板上のシングルPWM入力
  • サイクルごとの電流保護機能
  • 短いグランド スプリング プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3411R050 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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設計ファイル

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
証明書 LMG3411EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 3月 12日

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