DRV7308
- 650V エンハンスメント モード GaN FET 内蔵、3 相 PWM モーター ドライバ
- 最大 450V の動作電圧
- 650V 絶対最大定格電圧
- 高い出力電流能力:5A ピーク電流
- 小さい導通損失:GaN FET により低いオン抵抗:TA = 25°C で 205mΩ RDS(ON)
- 低いスイッチング損失:ゼロ逆回復、低出力容量、スルーレート制御
- 低歪:非常に小さい伝搬遅延 < 135ns、非常に小さいアダプティブ デッドタイム < 200ns
- 相ノード電圧のスルーレート制御を備えたゲート ドライブを内蔵
- スルーレートを 5V/µs~40V/µs で選択可能
- 高速ブートストラップ GaN 整流器内蔵
- 1 または 2 または 3 本のシャント電流センシングをサポートするローサイド GaN FET オープン ソースピン
- 最大 100kHz のハード スイッチングをサポート
- 電流検出用のアンプ内蔵
- 3.3V および 5V ロジック入力をサポート、最大 20V
- すべてのローサイド GaN FET を同時にオンにする BRAKE ピン
- 温度センサ内蔵
- モーター位相 (OUTx) と隣接するピン間の距離:>1.6mm
- VM と GND の間の空間距離:2mm
- 保護機能内蔵
- GVDD およびブートストラップ低電圧誤動作防止
- ローサイド GaN FET の過電流保護
- 過熱保護
- PWM アダプティブ デッドタイム挿入
- 3 相すべての電流制限保護
- フォルト状況表示ピン (nFAULT)
DRV7308 は 3 相インテリジェント パワー モジュール (IPM) であり、205mΩ、650V の e モード窒化ガリウム (GaN) で構成されており、最大 450V DC レールの 3 相 BLDC/PMSM モーターを駆動できます。BLDC モータの磁界方向制御 (FOC)、正弦波電流制御、および台形 (6 ステップ) 電流制御に適しています。このデバイスは、20kHz のスイッチング周波数で、QFN 12mm x 12mm パッケージの 3 相変調 FOC 駆動 250W モーター ドライブ アプリケーションで 99% を超える効率を実現し、ヒートシンクは不要です。このデバイスは、非常に短いデッドタイムで非常に静かな動作を実現するのに役立ちます。ブートストラップ整流器とブートストラップ電流制限を内蔵しているため、外部ブートストラップ ダイオードは不要です。
技術資料
設計および開発
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DRV7308EVM — DRV7308 の評価基板
DRV7308EVM は、DRV7308 モータードライバを包括的に評価するための設計を採用したモジュールです。このデバイスは、モーター ドライバ アプリケーションに適した、250W、450V、トリプル GaN (窒化ガリウム) FET 内蔵、ハーフブリッジ ゲート ドライバです。DRV7308EVM は、1 個の 3 相ブラシレス DC モーターを直接駆動する能力のある、3 個の 650V E (エンハンスメント) モード GaN FET ハーフブリッジを実現します。
このキットにとって必須の C2000™ LAUNCHXL-F2800137 LaunchPad™ は、DRV7308 (...)
DRV7308EVM-CERT — Declaration of Conformity compliance certification for DRV7308EVM
サポート対象の製品とハードウェア
製品
Gallium nitride (GaN) motor drivers
ハードウェア開発
評価ボード
TIDA-010273 — 250W モーター インバータのリファレンス デザイン
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (REN) | 65 | Ultra Librarian |
| VQFN (REN) | 68 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。