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UCC21551-Q1

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适用于 IGBT 和 SiC 切具有 EN 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A 5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21551-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12, 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SSOP (DFJ) 28 109.18 mm² 10.6 x 10.3
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通道间爬电距离：
    • 采用 DFJ28 封装时 >5.3mm
    • 采用 DWK 封装时 >3.3mm
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通道间爬电距离：
    • 采用 DFJ28 封装时 >5.3mm
    • 采用 DWK 封装时 >3.3mm
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。DFJ28 封装提供 >5.3mm 的通道间爬电以支持高电压系统。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性， UCC21551x-Q1器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21551x-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21551x-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。DFJ28 封装提供 >5.3mm 的通道间爬电以支持高电压系统。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性， UCC21551x-Q1器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
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* 数据表 UCC21551x-Q1 汽车级 4A、6A 增强型隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. H) PDF | HTML 英语版 (Rev.H) PDF | HTML 2024年 10月 3日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. X) 2025年 8月 20日
应用手册 汽车 PTC 加热器模块的设计注意事项 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 12月 18日
证书 CQC Certificate for UCC21551xx 2024年 8月 27日
功能安全信息 UCC21551x-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2023年 9月 13日
应用手册 OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 2023年 1月 13日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21551CQEVM-079 — UCC21551 4A、6A 双通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21551CQEVM 是包含多个测试点和跳线的双层覆铜 PCB，用于全面评估 UCC21551 的功能。该 EVM 具有 PWM 输入控制、板载可调电源、分立式 FET 插座、用于低侧保护的外部有源钳位、自举高侧、负栅极电压功能、可配置死区时间开关、EN/DIS 跳线以及用于 Wolfspeed XM3 SiC 半桥电源模块的插座。经过优化的布局可最大限度地减小每个通道的环路面积，旁路电容器的放置可实现干净清晰的信号读取和最小的噪声干扰。 

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

UCC21551-Q1 PSpice Transient Reference Design Model

SLUM866.ZIP (175 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

UCC21551-Q1 TINA-TI Reference Design

SLUM863.TSC (9409 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
原理图

Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)

SZZM003A.ZIP (1317 KB)
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
SSOP (DFJ) 28 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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