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TPS7H6101-SEP

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具有集成驱动器的抗辐射 200V 10A GaN 功率级

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TPS7H6101-SEP

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产品详情

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 250 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 250 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet
  • 辐射性能：
    • 通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e 模式 GaN FET 半桥
    • 15mΩRDS(ON)（典型值）
    • 100kHz 至 2MHz 运行
  • LGA 封装：
    • 带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装
    • 集成式栅极驱动电阻器
    • 低共源电感封装
    • 电气隔离式高侧和低侧
  • 适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制
    • 低传播延迟
    • 两种工作模式
      • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
      • 两个独立输入
    • 可编程的死区时间控制
    • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
    • 5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行
  • 辐射性能：
    • 通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e 模式 GaN FET 半桥
    • 15mΩRDS(ON)（典型值）
    • 100kHz 至 2MHz 运行
  • LGA 封装：
    • 带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装
    • 集成式栅极驱动电阻器
    • 低共源电感封装
    • 电气隔离式高侧和低侧
  • 适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制
    • 低传播延迟
    • 两种工作模式
      • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
      • 两个独立输入
    • 可编程的死区时间控制
    • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
    • 5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行

TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。

TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS7H6101-SEP 200V、10A GaN 半桥功率级 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 5月 19日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6101-SEP Preliminary Total Ionizing Dose (TID) Report 2025年 5月 9日
证书 TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 4月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 评估模块

TPS7H6101EVM 在 J13 上使用输入电压轨为 100V 的 PVIN 供电。默认情况下，器件运行 PWM 模式，只需进行极少的更改即可使用 IIM 模式。在 J8 上输入 0V 至 5V 波形， TPS7H6101-SP 将作为具有所选占空比和频率的降压转换器运行。TPS7H6101EVM 按照快速入门指南中提到的参数进行设置和测试。使用快速入门指南以外的输入时，请考虑电路板的热性能管理以及电感器的 18A 饱和电流。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频