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TLV2432-Q1

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汽车级、双路、10V、500kHz 运算放大器

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open-in-new 比较替代产品
功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
TLV9002-Q1 正在供货 适用于成本优化型应用的汽车级、双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 Rail-to-rail I/O, higher GBW (1 MHz), faster slew rate (2 V/μs), lower offset voltage (1.5 mV), lower power (0.06 mA), higher output current (40 mA)
功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
TLV9152-Q1 正在供货 汽车类、双路、16V、4.5MHz 低功耗运算放大器 Rail-to-rail I/O, wider supply range (2.7 V to 16 V), higher GBW (4.5 MHz), faster slew rate (21 V/us), lower offset voltage (0.895 mV)

TLV2432-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 10 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.7 Rail-to-rail In to V-, Out GBW (typ) (MHz) 0.5 Slew rate (typ) (V/µs) 0.25 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 0.1 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 22 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.017 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.25 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.25 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.01 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.03
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 10 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.7 Rail-to-rail In to V-, Out GBW (typ) (MHz) 0.5 Slew rate (typ) (V/µs) 0.25 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 0.1 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 22 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.017 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.25 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.25 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.01 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.03
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合汽车应用要求
  • ESD 保护超过 2000V（根据 MIL-STD-883 方法 3015）；超过 200V（使用机器模型，C = 200pF，R = 0）
  • 输出摆幅包括两个电源轨
  • 扩宽的共模输入电压范围：5V 单电源时为 0V 至 4.5V（最小值）
  • 无相位反转
  • 低噪声：f = 1kHz 时为 18nV/√Hz（典型值）
  • 低输入失调电压：TA = 25°C (TLV243xA-Q1) 时为 950µV（最大值）
  • 低输入偏置电流：1pA（典型值）
  • 超低电源电流：每通道 125µA（最大值）
  • 600Ω 输出驱动
  • 包括宏模型
  • 符合汽车应用要求
  • ESD 保护超过 2000V（根据 MIL-STD-883 方法 3015）；超过 200V（使用机器模型，C = 200pF，R = 0）
  • 输出摆幅包括两个电源轨
  • 扩宽的共模输入电压范围：5V 单电源时为 0V 至 4.5V（最小值）
  • 无相位反转
  • 低噪声：f = 1kHz 时为 18nV/√Hz（典型值）
  • 低输入失调电压：TA = 25°C (TLV243xA-Q1) 时为 950µV（最大值）
  • 低输入偏置电流：1pA（典型值）
  • 超低电源电流：每通道 125µA（最大值）
  • 600Ω 输出驱动
  • 包括宏模型

TLV243x 和 TLV243xA 是德州仪器 (TI) 的低电压运算放大器。每个器件的共模输入电压范围扩展到典型的 CMOS 放大器之上，因此适用于各种应用。此外，当共模输入被驱动到电源轨时，这些器件不会发生相位反相。这可以满足大多数设计要求，而无需对轨到轨输入性能支付额外费用。这些器件还在单电源或双电源应用中表现出优异的轨到轨输出性能，能够进一步扩大动态范围。该系列在 3V 和 5V 电源下完成全面特性测试，并针对低压操作进行了优化。TLV243x 每通道仅需要 100µA（典型值）电源电流，因此非常适合电池供电型应用。与以前的轨到轨运算放大器相比，TLV243x 还具有更高的输出驱动能力，并可驱动电信应用中的 600Ω 负载。

TLV243x 系列的其他产品包括高功耗 TLV244x 和微功耗 TLV2422 版本。

TLV243x 具有高输入阻抗和低噪声特性，是用于高阻抗源（如压电式传感器）小信号调节的理想选择。得益于微功耗水平与低工作电压的组合，这些器件在手持监控和遥感应用中表现良好。此外，该系列器件的单电源或双电源具有轨到轨输出特性，是与模数转换器 (ADC) 连接的理想选择。对于精密应用，TLV243xA 的最大输入失调电压为 950µV。

如果设计中需要单个运算放大器，请参阅 TI TLV2211、TLV2221 或 TLV2231，了解采用 SOT-23 封装的轨到轨输出运算放大器。TLV22xx 器件具有小尺寸和低功耗特性，专为高密度电池供电设备而设计。

TLV243x 和 TLV243xA 是德州仪器 (TI) 的低电压运算放大器。每个器件的共模输入电压范围扩展到典型的 CMOS 放大器之上，因此适用于各种应用。此外，当共模输入被驱动到电源轨时，这些器件不会发生相位反相。这可以满足大多数设计要求，而无需对轨到轨输入性能支付额外费用。这些器件还在单电源或双电源应用中表现出优异的轨到轨输出性能，能够进一步扩大动态范围。该系列在 3V 和 5V 电源下完成全面特性测试，并针对低压操作进行了优化。TLV243x 每通道仅需要 100µA（典型值）电源电流，因此非常适合电池供电型应用。与以前的轨到轨运算放大器相比，TLV243x 还具有更高的输出驱动能力，并可驱动电信应用中的 600Ω 负载。

TLV243x 系列的其他产品包括高功耗 TLV244x 和微功耗 TLV2422 版本。

TLV243x 具有高输入阻抗和低噪声特性，是用于高阻抗源（如压电式传感器）小信号调节的理想选择。得益于微功耗水平与低工作电压的组合，这些器件在手持监控和遥感应用中表现良好。此外，该系列器件的单电源或双电源具有轨到轨输出特性，是与模数转换器 (ADC) 连接的理想选择。对于精密应用，TLV243xA 的最大输入失调电压为 950µV。

如果设计中需要单个运算放大器，请参阅 TI TLV2211、TLV2221 或 TLV2231，了解采用 SOT-23 封装的轨到轨输出运算放大器。TLV22xx 器件具有小尺寸和低功耗特性，专为高密度电池供电设备而设计。
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* 数据表 TLV243x-Q1 高级 LinCMOS 轨到轨输出、宽输入电压运算放大器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 22日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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