TLE2142M

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高速高驱动精密双通道运算放大器

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功能与比较器件相同,且具有相同引脚
LM158A 正在供货 军用级、双通道、30V、700kHz、3mV 失调电压运算放大器 Wider supply range (3 V to 32 V), lower offset voltage (2 mV), lower power (0.35 mA)
TLC2252AM 正在供货 轨至轨毫微功耗精密高级 LinCMOS™ 双通道运算放大器 Lower offset voltage (0.85 mV), lower power (0.035 mA), lower noise (19 nV/√Hz)
功能与比较器件相同,但引脚排列有所不同
TLV2262AM 正在供货 低电压轨至轨低功耗精密高级 LinCMOS™ 双通道运算放大器 Lower offset voltage (0.95 mV), lower power (0.2 mA)

产品详情

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 44 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 6 Slew rate (typ) (V/µs) 45 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.2 Iq per channel (typ) (mA) 3.45 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10.5 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.7 Features High Cload Drive Input bias current (max) (pA) 1500000 CMRR (typ) (dB) 108 Iout (typ) (A) 0.031 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 44 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 6 Slew rate (typ) (V/µs) 45 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.2 Iq per channel (typ) (mA) 3.45 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 10.5 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.7 Features High Cload Drive Input bias current (max) (pA) 1500000 CMRR (typ) (dB) 108 Iout (typ) (A) 0.031 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8
CDIP (JG) 8 64.032 mm² 9.6 x 6.67 CFP (U) 10 139.36 mm² 21.44 x 6.5 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • 低噪声
    • 10Hz。..15nV/√Hz
    • 1kHz。..10.5nV/√Hz
  • 负载能力:10000pF
  • 短路输出电流:20mA(最小值)
  • 压摆率:27V/µs(最小值)
  • 高增益带宽积:5.9MHz
  • 低 VIO:25°C 时最大电压为 500µV
  • 单电源或双电源:4V 至 44V
  • 快速稳定时间:
    • 340ns 至 0.1%
    • 400ns 至 0.01%
  • 饱和恢复:150ns
  • 大输出摆幅:
    • VCC− + 0.1V 至 VCC+ − 1V
  • 低噪声
    • 10Hz。..15nV/√Hz
    • 1kHz。..10.5nV/√Hz
  • 负载能力:10000pF
  • 短路输出电流:20mA(最小值)
  • 压摆率:27V/µs(最小值)
  • 高增益带宽积:5.9MHz
  • 低 VIO:25°C 时最大电压为 500µV
  • 单电源或双电源:4V 至 44V
  • 快速稳定时间:
    • 340ns 至 0.1%
    • 400ns 至 0.01%
  • 饱和恢复:150ns
  • 大输出摆幅:
    • VCC− + 0.1V 至 VCC+ − 1V

TLE214x 和 TLE214xA 器件是采用德州仪器 (TI) 互补双极 Excalibur 工艺制造的高性能内部补偿型运算放大器。TLE214xA 是 TLE214x 的更严格失调电压级。两者都是标准行业产品的引脚兼容升级版。

该设计集成了一个输入级,可同时实现 10.5nV/√ Hz 的低音频带噪声、10Hz 1/f 角和对称 40V/µs 压摆率,典型负载高达 800pF。由此产生的低失真和高功率带宽在高保真音频应用中至关重要。在 2kΩ/100pF 负载条件下,10V 阶跃 0.1% 的快速稳定时间为 430ns,这在快速执行器/定位驱动器中非常有用。在类似测试条件下,0.01% 的稳定时间为 640ns。

这两个版本也可用作比较器。VCC± 的差分输入可以保持而不会损坏器件。在 TTL 电源电平下,开环传播延迟通常为 200ns。当器件的驱动超出推荐输出摆幅的限制时,这可以很好地显示输出级的饱和恢复情况。

TLE214x 和 TLE214xA 有多种封装可供选择,包括行业标准的 8 引脚小外型版本和适用于高密度系统应用的芯片形式。后缀为 C 的器件在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。后缀为 I 的器件在 −40°C 至 105°C 的温度范围内运行。后缀为 M 的器件覆盖 −55°C 至 125°C 的完整军用温度范围。

TLE214x 和 TLE214xA 器件是采用德州仪器 (TI) 互补双极 Excalibur 工艺制造的高性能内部补偿型运算放大器。TLE214xA 是 TLE214x 的更严格失调电压级。两者都是标准行业产品的引脚兼容升级版。

该设计集成了一个输入级,可同时实现 10.5nV/√ Hz 的低音频带噪声、10Hz 1/f 角和对称 40V/µs 压摆率,典型负载高达 800pF。由此产生的低失真和高功率带宽在高保真音频应用中至关重要。在 2kΩ/100pF 负载条件下,10V 阶跃 0.1% 的快速稳定时间为 430ns,这在快速执行器/定位驱动器中非常有用。在类似测试条件下,0.01% 的稳定时间为 640ns。

这两个版本也可用作比较器。VCC± 的差分输入可以保持而不会损坏器件。在 TTL 电源电平下,开环传播延迟通常为 200ns。当器件的驱动超出推荐输出摆幅的限制时,这可以很好地显示输出级的饱和恢复情况。

TLE214x 和 TLE214xA 有多种封装可供选择,包括行业标准的 8 引脚小外型版本和适用于高密度系统应用的芯片形式。后缀为 C 的器件在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。后缀为 I 的器件在 −40°C 至 105°C 的温度范围内运行。后缀为 M 的器件覆盖 −55°C 至 125°C 的完整军用温度范围。

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* 数据表 Excalibur 低噪声高速精确运算放大器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2025年 9月 25日

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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