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TLE2061M-D

已停产

采用 SOIC-8 封装的军用级、单通道、36V、2MHz、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

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TLE2061M-D 不再投入量产
此产品不再投入生产。新设计应考虑替代产品。
open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
OPA991 正在供货 单路、40V、4.5MHz、低功耗运算放大器 Rail-to-rail I/O, wider supply range (2.7 V to 40 V), higher GBW (4.5 MHz), lower offset voltage (0.75 mV), lower noise (10.8 nV/√Hz)

TLE2061M-D

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产品详情

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.29 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/µs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.29 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • TL06x 和 TL03x 运算放大器的 2 倍带宽 (2MHz)
  • 低电源电流：290µA/Ch (典型值)
  • 微调片上失调电压，可提高直流性能
  • 指定为 100Ω 负载的高输出驱动
  • 噪底比前几代低功耗的 BiFET 更低
  • TL06x 和 TL03x 运算放大器的 2 倍带宽 (2MHz)
  • 低电源电流：290µA/Ch (典型值)
  • 微调片上失调电压，可提高直流性能
  • 指定为 100Ω 负载的高输出驱动
  • 噪底比前几代低功耗的 BiFET 更低

TLE206x 系列低功耗 JFET 输入运算放大器可将早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的带宽加倍，但不会显著增加功耗。德州仪器 (TI) 的 Excalibur 工艺还可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失调电压的片上齐纳微调可为直流耦合应用生成精密等级。TL206x 器件与其他德州仪器 (TI) BiFET 兼容，为此，该器件能让 TL06x 和 TL03x 电路的带宽加倍，或将 TL05x、TL07x 和 TL08x 电路的功耗降低近 90%。

BiFET 运算放大器提供的 JFET 输入晶体管，其固有的输入阻抗更高，然并不会降低与双极放大器相关的输出驱动。这些器件特性专为连接高阻抗传感器或低电平交流信号而设计。此外，与具有类似功耗的双极或 CMOS 器件相比，这些器件本身具有更好的交流响应。TLE206x 系列具有高输出驱动电路，能够在低至 ±5V 的电源电压下驱动 100Ω 的负载。这使得它们特别适合驱动调制解调器中的变压器负载以及其他需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中。

由于 BiFET 运算放大器设计用于双电源，因此在采用单电源供电时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要输入信号的直流偏置，负载必须端接至 1/2 Vs 的虚拟接地节点。德州仪器 (TI) TLE2426 集成式虚拟接地发生器在通过单电源运行 BiFET 放大器时非常有用。

TLE206x 的额定工作电压为 ±15V 和 ±5V。若要在低电压或单电源系统中运行，建议使用德州仪器 (TI) LinCMOS 系列运算放大器（TLC- 和 TLV- 前缀）。从 BiFET 迁移到 CMOS 放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求以及输出负载。德州仪器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 运算放大器是理想的选择。

TLE206x 系列低功耗 JFET 输入运算放大器可将早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的带宽加倍，但不会显著增加功耗。德州仪器 (TI) 的 Excalibur 工艺还可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失调电压的片上齐纳微调可为直流耦合应用生成精密等级。TL206x 器件与其他德州仪器 (TI) BiFET 兼容，为此，该器件能让 TL06x 和 TL03x 电路的带宽加倍，或将 TL05x、TL07x 和 TL08x 电路的功耗降低近 90%。

BiFET 运算放大器提供的 JFET 输入晶体管，其固有的输入阻抗更高，然并不会降低与双极放大器相关的输出驱动。这些器件特性专为连接高阻抗传感器或低电平交流信号而设计。此外，与具有类似功耗的双极或 CMOS 器件相比，这些器件本身具有更好的交流响应。TLE206x 系列具有高输出驱动电路，能够在低至 ±5V 的电源电压下驱动 100Ω 的负载。这使得它们特别适合驱动调制解调器中的变压器负载以及其他需要良好交流特性、低功耗和高输出驱动的应用中。

由于 BiFET 运算放大器设计用于双电源，因此在采用单电源供电时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要输入信号的直流偏置，负载必须端接至 1/2 Vs 的虚拟接地节点。德州仪器 (TI) TLE2426 集成式虚拟接地发生器在通过单电源运行 BiFET 放大器时非常有用。

TLE206x 的额定工作电压为 ±15V 和 ±5V。若要在低电压或单电源系统中运行，建议使用德州仪器 (TI) LinCMOS 系列运算放大器（TLC- 和 TLV- 前缀）。从 BiFET 迁移到 CMOS 放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求以及输出负载。德州仪器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 运算放大器是理想的选择。
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This data sheet applies to both  TLE2061M and  TLE2061M-D

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* 数据表 TLE206x、TLE206xA、TLE206xB Excalibur JFET-输入高输出驱动 μPower 运算放大器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 23日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点