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Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口上均支持以混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出的电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出的电平位移,VCC 为 2.5V
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 5Ω)
  • 低输入/输出电容可更大程度减小负载(Cio(OFF) 典型值 = 5pF)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 最大值 = 20µA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口上均支持以混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出的电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出的电平位移,VCC 为 2.5V
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 5Ω)
  • 低输入/输出电容可更大程度减小负载(Cio(OFF) 典型值 = 5pF)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 最大值 = 20µA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)

SN74CB3T3253 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 多路复用器/多路信号分离器,可实现超短传播延迟。该器件通过提供可跟踪 VCC 的电压转换,完全支持在所有数据 I/O 端口上以混合模式信号运行。SN74CB3T3253 支持使用 5V TTL、3.3V LVTTL 和 2.5V CMOS 开关标准以及用户定义的开关电平的系统(参见 典型直流电压转换特性)。

该器件专用于使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 功能可确保器件断电时具有破坏性的电流不会回流。该器件可在关断时提供隔离。

SN74CB3T3253 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 多路复用器/多路信号分离器,可实现超短传播延迟。该器件通过提供可跟踪 VCC 的电压转换,完全支持在所有数据 I/O 端口上以混合模式信号运行。SN74CB3T3253 支持使用 5V TTL、3.3V LVTTL 和 2.5V CMOS 开关标准以及用户定义的开关电平的系统(参见 典型直流电压转换特性)。

该器件专用于使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 功能可确保器件断电时具有破坏性的电流不会回流。该器件可在关断时提供隔离。

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* 数据表 SN74CB3T3253 双路 4 选 1 FET 多路复用器/多路信号分离器 2.5V/3.3V 低电压总线开关,具有可耐受 5V 电压的电平移位器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 7月 23日
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用户指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
应用手册 选择正确的电平转换解决方案 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2006年 3月 23日
更多文献资料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

SN74CB3T3253 IBIS Model

SCDM058.ZIP (26 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频