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UCC57138-Q1

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車載、正の OCP (過電流保護) 機能と 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 機能搭載、ローサイド ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 3 Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 14 Channel input logic Non-Inverting Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 3 Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 14 Channel input logic Non-Inverting Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified
    • Device Temperature Grade 1
  • Typical 3A sink 3A source output currents
  • 500mV over-current protection (OCP) threshold
  • Single pin for fault output and enable
  • Programmable fault clear time and over current detection response time
  • Absolute maximum VDD voltage: 30V
  • Tight UVLO threshold for bias flexibility
  • Typical 26ns propagation delay
  • Self-protect driver with thermal shutdown function at 180°C
  • Available in 5mm x 4mm SOIC-8 package
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified
    • Device Temperature Grade 1
  • Typical 3A sink 3A source output currents
  • 500mV over-current protection (OCP) threshold
  • Single pin for fault output and enable
  • Programmable fault clear time and over current detection response time
  • Absolute maximum VDD voltage: 30V
  • Tight UVLO threshold for bias flexibility
  • Typical 26ns propagation delay
  • Self-protect driver with thermal shutdown function at 180°C
  • Available in 5mm x 4mm SOIC-8 package
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C

The UCC5713x-Q1 is a single channel, high-performance, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET, IGBT and SiC power switches. The UCC5713x-Q1 has a typical peak drive strength of 3A.

The UCC5713x-Q1 provide the over current protection with the OCP pin. When the over current signal detected on the OCP pin, the internal circuit will pull down the EN/FLT pin to report fault and force the OUT to low stage. Externall pull up circuir on the EN/FLT is required during the normal operation of the driver. Pulling the EN/FLT low will disable the driver. The EN/FLT would also report the under voltage lock out (UVLO) fault on VDD and the over temperature fault. The UCC5713x-Q1 provide both 8V and 12V UVLO option for SiC and IGBT applications.

The UCC5713x-Q1 is a single channel, high-performance, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET, IGBT and SiC power switches. The UCC5713x-Q1 has a typical peak drive strength of 3A.

The UCC5713x-Q1 provide the over current protection with the OCP pin. When the over current signal detected on the OCP pin, the internal circuit will pull down the EN/FLT pin to report fault and force the OUT to low stage. Externall pull up circuir on the EN/FLT is required during the normal operation of the driver. Pulling the EN/FLT low will disable the driver. The EN/FLT would also report the under voltage lock out (UVLO) fault on VDD and the over temperature fault. The UCC5713x-Q1 provide both 8V and 12V UVLO option for SiC and IGBT applications.
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* データシート UCC5713x-Q1 High-Speed, Low-Side Gate Drivers With Overcurrent Protection for Automotive Applications データシート PDF | HTML 2025年 8月 15日
製品概要 UCC571xx: TI's First Protection Low-Side Protection Drivers With DESAT (UCC5710x), OCP (UCC5714x) (Rev. A) PDF | HTML 2025年 5月 15日

設計および開発

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SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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