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TPS28226

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8V UVLO 搭載、同期整流向け、4A、27V ハーフブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6.8 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6.8 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 2個のNチャネルMOSFETを14nsの適応型デッド・タイムで駆動
  • 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V（7V～8Vで最大効率）
  • 広いパワー・システム・トレーン入力電圧範囲：3V～27V
  • 広い入力PWM信号範囲：振幅2.0V～13.2V
  • 1相あたり40A以上の電流でMOSFETを駆動可能
  • 高周波動作：伝播遅延14nsおよび立ち上がり/立ち下がり時間10nsにより、FSW＝2MHzでの動作が可能
  • 30ns未満の入力PWMパルスを伝播可能
  • ローサイド・ドライバのシンク・オン抵抗（0.4Ω）により、dV/dTに起因する貫通電流を防止
  • 3ステートPWM入力による電源段のシャットダウン
  • イネーブル（入力）信号とパワー・グッド（出力）信号を同じピンに割り当てることでスペースを節約
  • サーマル・シャットダウン
  • UVLO保護
  • 内部ブートストラップ・ダイオード
  • 低価格のSOIC-8パッケージ、および熱特性強化型の3mm×3mm DFN-8パッケージ
  • 一般的な3ステート入力ドライバを高性能で置き換え可能

アプリケーション

  • アナログまたはデジタル制御の多相DC-DCコンバータ
  • デスクトップ/サーバーVRMおよびEVRD
  • ポータブルおよびノートブック用レギュレータ
  • 絶縁型電源の同期整流

All trademarks are the property of their respective owners. All trademarks are the property of their respective owners.

  • 2個のNチャネルMOSFETを14nsの適応型デッド・タイムで駆動
  • 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V（7V～8Vで最大効率）
  • 広いパワー・システム・トレーン入力電圧範囲：3V～27V
  • 広い入力PWM信号範囲：振幅2.0V～13.2V
  • 1相あたり40A以上の電流でMOSFETを駆動可能
  • 高周波動作：伝播遅延14nsおよび立ち上がり/立ち下がり時間10nsにより、FSW＝2MHzでの動作が可能
  • 30ns未満の入力PWMパルスを伝播可能
  • ローサイド・ドライバのシンク・オン抵抗（0.4Ω）により、dV/dTに起因する貫通電流を防止
  • 3ステートPWM入力による電源段のシャットダウン
  • イネーブル（入力）信号とパワー・グッド（出力）信号を同じピンに割り当てることでスペースを節約
  • サーマル・シャットダウン
  • UVLO保護
  • 内部ブートストラップ・ダイオード
  • 低価格のSOIC-8パッケージ、および熱特性強化型の3mm×3mm DFN-8パッケージ
  • 一般的な3ステート入力ドライバを高性能で置き換え可能

アプリケーション

  • アナログまたはデジタル制御の多相DC-DCコンバータ
  • デスクトップ/サーバーVRMおよびEVRD
  • ポータブルおよびノートブック用レギュレータ
  • 絶縁型電源の同期整流

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TPS28226は、適応型デッド・タイム制御機能を備えた、Nチャネル相補型パワーMOSFET用の高速ドライバです。さまざまな種類の1相および多相の高電流DC-DCコンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28226は、高効率、小サイズ、低EMIの設計を実現するソリューションです。

この効率は、最大8.8Vのゲート駆動電圧、14nsの適応型デッド・タイム制御、14nsの伝播遅延、および2Aソース、4Aシンクの高電流駆動能力によって実現されています。ローサイド・ゲート・ドライバの0.4ΩのインピーダンスによってパワーMOSFETのゲートをスレッショルド未満に保持し、高いdV/dtでノードが遷移した場合でも貫通電流が生じないようにしています。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ・コンデンサにより、NチャネルMOSFETをハーフブリッジ構成で使用することができます。

TPS28226は、適応型デッド・タイム制御機能を備えた、Nチャネル相補型パワーMOSFET用の高速ドライバです。さまざまな種類の1相および多相の高電流DC-DCコンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28226は、高効率、小サイズ、低EMIの設計を実現するソリューションです。

この効率は、最大8.8Vのゲート駆動電圧、14nsの適応型デッド・タイム制御、14nsの伝播遅延、および2Aソース、4Aシンクの高電流駆動能力によって実現されています。ローサイド・ゲート・ドライバの0.4ΩのインピーダンスによってパワーMOSFETのゲートをスレッショルド未満に保持し、高いdV/dtでノードが遷移した場合でも貫通電流が生じないようにしています。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ・コンデンサにより、NチャネルMOSFETをハーフブリッジ構成で使用することができます。

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設計および開発

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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを使用して、複雑なミックスド (...)
リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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