JAJSC55A July   2007  – September 2015 TPS28226

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 7.3.2 Output Active Low
      3. 7.3.3 Enable/Power Good
      4. 7.3.4 3-State Input
        1. 7.3.4.1 TPS28226 3-State Exit Mode
        2. 7.3.4.2 External Resistor Interference
      5. 7.3.5 Bootstrap Diode
      6. 7.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 7.3.7 Dead-Time Control
      8. 7.3.8 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Four Phases Driven by TPS28226 Driver
        2. 8.2.2.2 Switching The MOSFETs
        3. 8.2.2.3 List of Materials
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 System Examples
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 2個のNチャネルMOSFETを14nsの適応型デッド・タイムで駆動
  • 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V（7V～8Vで最大効率）
  • 広いパワー・システム・トレーン入力電圧範囲：3V～27V
  • 広い入力PWM信号範囲：振幅2.0V～13.2V
  • 1相あたり40A以上の電流でMOSFETを駆動可能
  • 高周波動作：伝播遅延14nsおよび立ち上がり/立ち下がり時間10nsにより、FSW＝2MHzでの動作が可能
  • 30ns未満の入力PWMパルスを伝播可能
  • ローサイド・ドライバのシンク・オン抵抗（0.4Ω）により、dV/dTに起因する貫通電流を防止
  • 3ステートPWM入力による電源段のシャットダウン
  • イネーブル（入力）信号とパワー・グッド（出力）信号を同じピンに割り当てることでスペースを節約
  • サーマル・シャットダウン
  • UVLO保護
  • 内部ブートストラップ・ダイオード
  • 低価格のSOIC-8パッケージ、および熱特性強化型の3mm×3mm DFN-8パッケージ
  • 一般的な3ステート入力ドライバを高性能で置き換え可能

2 アプリケーション

  • アナログまたはデジタル制御の多相DC-DCコンバータ
  • デスクトップ/サーバーVRMおよびEVRD
  • ポータブルおよびノートブック用レギュレータ
  • 絶縁型電源の同期整流

3 概要

TPS28226は、適応型デッド・タイム制御機能を備えた、Nチャネル相補型パワーMOSFET用の高速ドライバです。さまざまな種類の1相および多相の高電流DC-DCコンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28226は、高効率、小サイズ、低EMIの設計を実現するソリューションです。

この効率は、最大8.8Vのゲート駆動電圧、14nsの適応型デッド・タイム制御、14nsの伝播遅延、および2Aソース、4Aシンクの高電流駆動能力によって実現されています。ローサイド・ゲート・ドライバの0.4ΩのインピーダンスによってパワーMOSFETのゲートをスレッショルド未満に保持し、高いdV/dtでノードが遷移した場合でも貫通電流が生じないようにしています。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ・コンデンサにより、NチャネルMOSFETをハーフブリッジ構成で使用することができます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
TPS28226 SOIC (8) 4.90mm×3.91mm
VSON (8) 3.00mm×3.00mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

概略回路図

TPS28226 alt_lus791.gif