SN54SLC8T245-SEP

アクティブ

耐放射線特性、8 ビット、0.65V ~ 3.3V、方向制御型レベル シフタ

製品詳細

Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 380 Technology family SLC Vout (min) (V) 0.65 Supply current (max) (mA) 0.07 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Applications RGMII Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 380 Technology family SLC Vout (min) (V) 0.65 Supply current (max) (mA) 0.07 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Applications RGMII Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性:
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V~3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲:–55℃~+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V
  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性:
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V~3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲:–55℃~+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。

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技術資料

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* データシート SN54SLC8T245-SEP 8 ビット、デュアル電源バス・トランシーバ、構成可能な電圧変換およびトライステート出力搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 12月 13日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2022年 10月 20日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 2022年 10月 12日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Total Ionizing Dose (TID) PDF | HTML 2022年 10月 3日
アプリケーション・ノート Schematic Checklist - A Guide to Designing With Fixed or Direction Control Translators PDF | HTML 2024年 10月 2日
アプリケーション概要 TI Space Enhanced Plastic Logic Overview and Applications in Low-Earth Orbit Satellite Platforms PDF | HTML 2024年 9月 10日
アプリケーション・ノート Schematic Checklist - A Guide to Designing with Auto-Bidirectional Translators PDF | HTML 2024年 7月 12日
アプリケーション・ノート Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 2024年 7月 3日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

AVCLVCDIRCNTRL-EVM — AVC と LVC をサポートする方向制御型の双方向変換デバイス向け汎用評価基板(EVM)

この汎用評価基板 (EVM) は、LVC と AVC に対応する、1 チャネル、2 チャネル、4 チャネル、 8 チャネルの各方向制御変換デバイスをサポートする設計を採用しています。また、同じチャネル数で、バス ホールドと車載向けの -Q1 デバイスもサポートしています。AVC は低電圧の変換デバイスであり、12mA という低い駆動能力に対応しています。LVC は、1.65 ~ 5.5V というより高い電圧を受け入れる変換デバイスであり、32mA という高い駆動能力に対応しています。

ユーザー ガイド: PDF
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シミュレーション・モデル

SN54SLC8T245-SEP IBIS Model (Rev. B)

SCEM795B.ZIP (82 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
TSSOP (PW) 24 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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