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LM5113-Q1

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車載、1.2A/5A、100V、GaNFET 向けハーフ ブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲－40°C～125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル1C
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
  • ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 高速伝搬時間（標準28ns）
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲－40°C～125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル1C
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
  • ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 高速伝搬時間（標準28ns）
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。

LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。

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技術資料

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設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
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シミュレーション・モデル

LM5113 PSpice Transient Model (Rev. D)

SNVM043D.ZIP (43 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SNVM460A.TSC (613 KB) - TINA-TI Reference Design
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM459A.ZIP (16 KB) - TINA-TI Spice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

SNVJ002B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

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リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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