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TPS7H6005-SEP

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耐辐射、200V 半桥 GaN 栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² 14 x 8.1
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
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* 数据表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐辐射保障半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6005-SEP, TPS7H6015-SEP and TPS7H6025-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) 2025年 4月 30日
* VID TPS7H6005-SEP VID TPS7H6005-SEP V62-24632 2025年 4月 8日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6005-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2025年 2月 24日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6005-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 2024年 12月 10日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2024年 11月 14日
选择指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
应用手册 借助增强型航天塑料产品降低近地轨道任务的风险 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
电子书 电子产品辐射手册 (Rev. A) 2019年 5月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 评估模块

TPS7H6005 评估模块演示了 TPS7H6005-SEP 栅极驱动器的运行情况。默认情况下，该评估模块设置为在 PWM 模式下与 TPS7H60XX-SP 一起运行。该模式接受一个开关信号的输入，并在内部生成互补信号。这可以更改为器件的 IIM 模式，在该模式下，两个输出彼此独立工作。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

PMP23391 — 适用于 100kRad 应用的 300W、12V 输出 ZVS 全桥转换器参考设计

该参考设计是一种全桥拓扑，包括以次级接地为基准的 TPS7H5005-SEP，用于控制三个 TPS7H6005-SEP 半桥栅极驱动器。以初级侧为基准的两个驱动器在脉宽调制 (PWM) 模式下运行，使得该设计能够在较高负载条件下实现零电压开关 (ZVS)。在次级侧，另一个驱动器控制一对次级整流器，以进一步提高转换效率。在此设计中，选择控制器、半桥驱动器和 GaN 场效应晶体管 (FET) 来满足对地静止轨道辐射 (GEO) 要求。这些元件可以互换以满足其他任务规格。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23552 — 适用于各类航天任务的 50V 至 150V 输入电压、28V、12A 同步降压转换器参考设计

此参考设计是一款 28V 输出、12A 同步降压转换器，适用于具有 50V 至 150V 工作输入电压范围的航天任务。主要应用包括从太阳能电池板和 120VDC 配电总线降低电压。TPS7H5006-SEP 脉宽调制 (PWM) 控制器使用电压模式控制来控制功率级。OPA4H199-SEP 检测传感电阻电压，从而实现输出短路保护。TPS7H6005-SEP 具有可调死区时间，可优化开关 MOSFET 的时序，从而在输入电压为 100V 时实现 95% 以上的效率，在输入电压为 50V 时实现 96% 以上的效率。包含的 12V 自偏置电路可直接从输出端为控制电路供电。如果提供了外部 12V (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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