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TPS7H2221-SEP

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抗辐射、1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关

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TPS7H2221-SEP

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产品详情

Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 提供供应商项目图，VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT（辐射批次验收测试）：20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN)：1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX)：1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC)：3A（典型值）
  • 低功耗：
    • 导通状态 (IQ)：8.3µA（典型值）
    • 关闭状态 (ISD)：3nA（典型值）
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON)：
    • 5V 时的 tON：3.61mV/µs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON：2.91mV/µs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON：2.15mV/µs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间：
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω（典型值）
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气
  • 提供供应商项目图，VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT（辐射批次验收测试）：20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN)：1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX)：1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC)：3A（典型值）
  • 低功耗：
    • 导通状态 (IQ)：8.3µA（典型值）
    • 关闭状态 (ISD)：3nA（典型值）
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON)：
    • 5V 时的 tON：3.61mV/µs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON：2.91mV/µs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON：2.15mV/µs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间：
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω（典型值）
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET，并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后，便会断开智能下拉电阻，以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性，因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装，工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET，并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后，便会断开智能下拉电阻，以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性，因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装，工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。
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* 数据表 TPS7H2221-SEP 抗辐射、5.5V、1.25A、115mΩ 负载开关 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 11月 9日
* VID TPS7H2221-SEP VID V62-22609 2022年 12月 22日
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* 辐射与可靠性报告 TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 2022年 8月 18日
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设计和开发

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评估板

TPS7H2221EVM — 适用于 TPS7H2221 1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关的评估模块

TPS7H2221 评估模块 (EVM) 演示了 TPS7H2221-SEP 负载开关的并联运行。此 EVM 允许将并联电路分成两个独立的单器件电路，并提供可组装额外无源器件的封装，以便对定制配置进行测试。

用户指南: PDF | HTML
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评估板

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal Core XQRVC1902 ACAP 和 TI 抗辐射产品的 Alpha Data ADM-VA601 套件

具有 6U VPX 外形，突出了 AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 自适应 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模块化板设计，带有一个 FMC+ 连接器、DDR4 DRAM 和系统监控功能。大多数元件是耐辐射电源管理、接口、时钟和嵌入式处理 (-SEP) 器件。

来源：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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仿真模型

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
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PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

TIDA-050088 — 适用于 Versal AI Edge 的抗辐射电源参考设计

这是一款面向 AMD Versal™ AI Edge XQRVE2302 的抗辐射电源架构参考设计。Versal Edge 是一款适用于太空应用的自适应片上系统 (SoC)，能够以小巧外形实现高性能。要在太空环境中充分发挥该设计的性能，稳健的电力输送至关重要。该电源设计采用多个器件为各电源轨供电，并配备序列发生器以实现电源轨的有序启动与监控。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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