고전압의 막강한 파워를 활용하세요.

TI의 고전압 기술을 통해 인버터 및 모터 컨트롤 시스템을 위한 가장 안정적인 솔루션을 구현해 보세요.

장점:

• IGBT 및 SiC FET용 절연 게이트 드라이버로 시스템 수준의 효율성을 개선하고 고장 상태를 모니터링합니다.
• 고성능 실시간 마이크로컨트롤러로 새로운 아키텍처를 지원하고, 주행 범위를 높이고, 전력 밀도를 개선합니다.
• 바이어스 전원 공급 장치 솔루션으로 시스템 비용을 최적화하고 기능 안전을 간소화합니다.
• TI의 센싱 솔루션으로 전류 및 전압을 정확하게 측정하여 시스템 효율성, 신뢰성 및 성능을 향상시킵니다. 

TI의 고전압 전력 변환, 전류 및 전압 감지 기술로 지원되는 안정적인 태양광 에너지 및 저장 시스템으로 더 지속 가능한 미래를 구축하도록 도와줍니다.

장점:

• GaN FET, SiC 및 IGBT 게이트 드라이버 및 바이어스 공급 장치와 함께 첨단 실시간 제어 마이크로컨트롤러 등으로 구성된 TI 포트폴리오로 전력 밀도를 높입니다.
• 제어 루프, 아크 감지 및 절연 요구를 충족하는 빠르고 정확한 전류 센서를 달성합니다. 

전류 및 전압 감지, 절연 모니터링과 같은 가장 중요한 BMS 기능의 기술적 혁신을 활용하는 BMS 솔루션으로 EV(전기 자동차)의 광범위한 채택에 영향을 미치는 과제를 해결해 보세요. 

장점:

• 정확한 전류 및 전압 측정을 통해 배터리 모니터 및 밸런서로 배터리 팩의 안전성을 효과적으로 관리할 수 있습니다.
• 솔리드 스테이트 릴레이로 업계 최고의 안정성을 보장하고, 800V EV BMS 안전의 안전성을 개선하고, 시스템 크기와 비용을 최대 50% 절감합니다. 

DC 충전소와 월 박스의 비용을 낮추고 안전성 및 전반적인 사용자 경험을 개선하는 설계로 전기화의 미래를 이끌어 갑니다.

장점:

• TI의 질화 갈륨(GaN) FET, SiC 및 IGBT 게이트 드라이버 및 절연 바이어스 전원 포트폴리오로 원하는 와이드 밴드갭 IC와 함께 작동합니다.
• GaN 기술을 통해 IGBT 기반 솔루션에 대한 전력 밀도를 높이고 DC 월 박스의 크기를 줄입니다.
• 업계 선두적인 전류 및 전압 센서 기술을 활용하여 전압 영역 전체에 보다 안정적인 데이터 전송을 지원합니다.  

TI의 고전압 전력 변환 및 저지연 실시간 제어 기술 포트폴리오를 통해 신뢰성과 전력 밀도를 높이면서도 에너지 효율이 뛰어나고 보호 성능이 우수한 전원 설계를 구현해보세요.

장점:

• TI의 GaN 기술을 사용하여 96.5%의 에너지 효율로 80 Plus® 티타늄 이상의 성능을 달성합니다.
• 통합 게이트 드라이버를 통해 파생 손실을 줄이고 시스템 수준 설계를 더 쉽게 만듭니다.