TRF0208-SP

アクティブ

放射線耐性保証 (RHA)、DC 付近 ~ 11GHz の 3dB BW (帯域幅)、シングルエンド入力、差動出力の RF 変換アンプ

製品詳細

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • 標準マイクロ回路図面 (SMD) 5962-24202
  • 放射線:
    • 吸収線量 (TID)
      • 放射線耐性保証 (RHA):TID 最大 100krad (Si)
      • 低線量率感度の向上 (ELDRS) フリー プロセス
      • 最大 100krad (Si) TID の高線量率放射線ロット受け入れテスト (HDR RLAT)
    • シングル イベント効果 (SEE)
      • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性:線エネルギー付与 (LET) = 75MeVcm2/mg
      • シングル イベント過渡 (SET) 特性:LET = 75MeV-cm2/mg
  • 宇宙グレード QMLP
    • 鉛フリー構造
    • 拡張温度範囲:-55°C~+125℃
  • RF ADC を駆動する優れた性能
  • シングルエンドから差動へのモードで 16dB の固定電力ゲイン
  • 帯域幅:11GHz、3dB
  • ゲイン平坦性:8GHz、1dB
  • OIP3:36dBm (2GHz)、32dBm (6GHz)
  • P1dB:14.5dBm (2GHz)、11dBm (6GHz)
  • NF:6.8dB (2GHz)、6.8dB (6GHz)
  • ゲイン不平衡および位相不平衡:±0.3dB および ±3º
  • パワーダウン機能
  • 単一電源動作:3.3V
  • 動作電流:138mA
  • 標準マイクロ回路図面 (SMD) 5962-24202
  • 放射線:
    • 吸収線量 (TID)
      • 放射線耐性保証 (RHA):TID 最大 100krad (Si)
      • 低線量率感度の向上 (ELDRS) フリー プロセス
      • 最大 100krad (Si) TID の高線量率放射線ロット受け入れテスト (HDR RLAT)
    • シングル イベント効果 (SEE)
      • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性:線エネルギー付与 (LET) = 75MeVcm2/mg
      • シングル イベント過渡 (SET) 特性:LET = 75MeV-cm2/mg
  • 宇宙グレード QMLP
    • 鉛フリー構造
    • 拡張温度範囲:-55°C~+125℃
  • RF ADC を駆動する優れた性能
  • シングルエンドから差動へのモードで 16dB の固定電力ゲイン
  • 帯域幅:11GHz、3dB
  • ゲイン平坦性:8GHz、1dB
  • OIP3:36dBm (2GHz)、32dBm (6GHz)
  • P1dB:14.5dBm (2GHz)、11dBm (6GHz)
  • NF:6.8dB (2GHz)、6.8dB (6GHz)
  • ゲイン不平衡および位相不平衡:±0.3dB および ±3º
  • パワーダウン機能
  • 単一電源動作:3.3V
  • 動作電流:138mA

TRF0208-SP は非常に高性能な完全差動アンプ (FDA) で、無線周波数 (RF) アプリケーション用に最適化されています。このデバイスは、高性能 AFE7950-SP または ADC12DJ5200-SP などの A/D コンバータ (ADC) を駆動する際に、シングルエンドから差動形式への変換を必要とする AC 結合アプリケーションに最適です。オンチップのマッチング部品により、プリント基板 (PCB) の実装が簡素化され、使用可能な帯域幅全体にわたって最高の性能を実現できます。このデバイスは、テキサス・インスツルメンツの先進的な相補型 BiCMOS プロセスで製造され、省スペースの WQFN-FCRLF パッケージで供給されます。

TRF0208-SP はシングル レール電源で動作し、消費有効電流は約 138mA です。パワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することが可能です。

TRF0208-SP は非常に高性能な完全差動アンプ (FDA) で、無線周波数 (RF) アプリケーション用に最適化されています。このデバイスは、高性能 AFE7950-SP または ADC12DJ5200-SP などの A/D コンバータ (ADC) を駆動する際に、シングルエンドから差動形式への変換を必要とする AC 結合アプリケーションに最適です。オンチップのマッチング部品により、プリント基板 (PCB) の実装が簡素化され、使用可能な帯域幅全体にわたって最高の性能を実現できます。このデバイスは、テキサス・インスツルメンツの先進的な相補型 BiCMOS プロセスで製造され、省スペースの WQFN-FCRLF パッケージで供給されます。

TRF0208-SP はシングル レール電源で動作し、消費有効電流は約 138mA です。パワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することが可能です。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TRF0208-SP 放射線耐性保証 (RHA)、DC 付近 ~ 11GHz、完全差動 RF アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 12月 11日
* 放射線と信頼性レポート TRF0208-SP, Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier Single-Event Effects (SEE) Radiation Report PDF | HTML 2024年 12月 23日
* 放射線と信頼性レポート TRF0208-SP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 2024年 12月 17日
技術記事 Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 2024年 6月 11日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TRF0208SP-EVM — TRF0208-SP 評価基板

TRF0208-SP 評価基板 (EVM) は、TRF0208-SP デバイスの評価に使用できます。このデバイスは、2mm × 2mm の 12 ピン WQFN パッケージに封止済みで、差動出力の RF アンプです。このデバイスは、高速かつ RF 差動入力の ADC を駆動するための設計を採用しており、多くの場合、2 個のコンポーネント (ゲイン ブロックとパッシブ バラン) を使用する駆動段が不要になります。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TRF0208 S-Parameters Model

SBOMCN3.ZIP (5 KB) - S-Parameter Model
シミュレーション・モデル

TRF0208-SEP and TRF0208-SP S-Parameter Model

SBOMCN1.ZIP (10 KB) - S-Parameter Model
リファレンス・デザイン

TIDA-010260 — 4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザイン

4T5R 宇宙グレード統合型トランシーバのリファレンス デザインは、クロッキング ソリューションと電源ソリューションを搭載したフル RF サンプリング トランシーバを組み込んでいます。このデザインでは、すべて SEP 特性の TI デバイスと宇宙認定取得済みの受動部品が VITA-57 フォーム ファクタ内に搭載されています。
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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