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SN74CB3T3253

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レベル シフタ搭載、3.3V、4:1、2 チャネル FET バス スイッチ

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製品詳細

Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4
  • 出力電圧変換は VCC に追従
  • すべてのデータ I/O ポートで混合モード信号動作をサポート
    • 3.3V の VCC で、5V 入力を 3.3V 出力にレベル シフト
    • 2.5V の VCC で、5V / 3.3V の入力を 2.5V 出力にレベル シフト
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ フロー
  • 低いオン抵抗 (ron) 特性 (ron = 5Ω、標準値)
  • 低い入力および出力容量により負荷が最小化 (Cio(OFF) = 5pF、標準値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート クランプ ダイオードを搭載
  • 低消費電力 (ICC = 20µA、最大値)
  • 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
  • データ I/O は 0 ～ 5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力は、TTL または 5V / 3.3V CMOS 出力で駆動可能
  • Ioff により部分的パワーダウン モードでの動作をサポート
  • JESD 17 準拠で 250mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 準拠で ESD 性能を試験済み
    • 人体モデルで 2000V (A114-B、クラス II)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)
  • 出力電圧変換は VCC に追従
  • すべてのデータ I/O ポートで混合モード信号動作をサポート
    • 3.3V の VCC で、5V 入力を 3.3V 出力にレベル シフト
    • 2.5V の VCC で、5V / 3.3V の入力を 2.5V 出力にレベル シフト
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ フロー
  • 低いオン抵抗 (ron) 特性 (ron = 5Ω、標準値)
  • 低い入力および出力容量により負荷が最小化 (Cio(OFF) = 5pF、標準値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート クランプ ダイオードを搭載
  • 低消費電力 (ICC = 20µA、最大値)
  • 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
  • データ I/O は 0 ～ 5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力は、TTL または 5V / 3.3V CMOS 出力で駆動可能
  • Ioff により部分的パワーダウン モードでの動作をサポート
  • JESD 17 準拠で 250mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 準拠で ESD 性能を試験済み
    • 人体モデルで 2000V (A114-B、クラス II)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)

SN74CB3T3253 は、オン抵抗 (ron) が低いため伝播遅延を最小限に低減できる高速 TTL 互換 FET マルチプレクサ / デマルチプレクサです。このデバイスは、VCC に追従した電圧変換を行うことで、すべてのデータ I/O ポートにおいて混在モード信号動作を完全にサポートします。SN74CB3T3253 は、5V TTL、3.3V LVTTL、2.5V CMOS スイッチング規格に加えて、ユーザー定義のスイッチング レベルを使用するシステムに対応します (標準的な DC 電圧変換特性 を参照)。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 機能により、パワーダウン時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

SN74CB3T3253 は、オン抵抗 (ron) が低いため伝播遅延を最小限に低減できる高速 TTL 互換 FET マルチプレクサ / デマルチプレクサです。このデバイスは、VCC に追従した電圧変換を行うことで、すべてのデータ I/O ポートにおいて混在モード信号動作を完全にサポートします。SN74CB3T3253 は、5V TTL、3.3V LVTTL、2.5V CMOS スイッチング規格に加えて、ユーザー定義のスイッチング レベルを使用するシステムに対応します (標準的な DC 電圧変換特性 を参照)。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 機能により、パワーダウン時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CB3T3253 デュアル 1:4 FET マルチプレクサ / デマルチプレクサ 2.5V / 3.3V 低電圧バス スイッチ、5V 耐圧レベル シフタ付き データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 7月 21日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
アプリケーション概要 Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021年 1月 6日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート How to Select Little Logic (Rev. A) 2016年 7月 26日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
その他の技術資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
アプリケーション・ノート Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 2004年 6月 22日
ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド ボードへの対応を可能にします。  TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

SN74CB3T3253 IBIS Model

SCDM058.ZIP (26 KB) - IBIS Model
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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