ISOW6442
- 150Mbps のデータ レート
- クラス最高の放射を実現する内蔵 DC/DC コンバータ。
- 2 層基板でCISPR 32 を満たす放射エミッションに最適化
- 低い出力リップル:30mV
- 高効率出力電力
- 3.3V または 5V の絶縁型出力電圧を選択可能
- 最大負荷時の効率:42.5%
- 最大 0.55W の出力電力
- VISO 精度:10%
- 5V~5V:最大利用可能負荷電流 = 110mA
- 5V~3.3V:最大利用可能負荷電流 = 140mA
- 3.3V~3.3V:最大利用可能負荷電流 = 60mA
- 低伝搬遅延時間:11ns (標準値)
- チャネル アイソレータおよびパワー コンバータ用の独立電源
- ロジック電源 (VDDL):2.25V ~ 5.5V
- 堅牢な電磁両立性 (EMC)
- システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
- 高 CMTI:200kV/µs (標準値)
- サポートする最大 SPI:5V での 25MHz、3.3V での 20.8MHz
- 拡張温度範囲:–55℃~125℃
- 16 ピンのワイド ボディ SOIC パッケージ
- 安全関連認証 (予定):
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- UL 1577 部品認定プログラム
- IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1、GB 4943.1-2011 認証
ISOW644x ファミリおよびは、クラス最高レベルの低放射性能を備えた高効率電力コンバータを内蔵した、ガルバニック絶縁型の 4 チャネル デジタル アイソレータです。内蔵の DC-DC コンバータにより、最大 550mW の絶縁電力を供給できるため、スペースに制約のある絶縁設計において個別の絶縁電源が不要です。
この電力コンバータは効率が高いため、–55°C ~ 125°C の広い周囲温度範囲で動作します。ISOW644x は、突入電流を制限するソフトスタート、過電圧および低電圧誤動作防止、過負荷および短絡保護、サーマル シャットダウンなど、保護機能の強化を念頭に置いて設計されています。
ISOW644x ファミリおよびは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁しつつ、高い電磁耐性を提供します。信号絶縁チャネルでは、二酸化ケイ素 (SiO2) の絶縁バリアによってロジック入力バッファと出力 バッファが分離されています。一方、電力絶縁には、薄膜ポリマーを絶縁材料としたオンチップトランスが使用されています。ISOW644x の 4 チャネルデバイスには 5 種類の構成があり、型番の末尾の数字で逆方向チャネルの数を示します。たとえば、ISOW6440 デバイスには 4 つの順方向チャネルと 0 の逆方向チャネルがあり、ISOW6443 デバイスには 1 つの順方向チャネルと 3 つの逆方向チャネルがあります。入力信号が失われた場合、接尾辞 F の付いていない ISOW644x デバイスのデフォルト出力は high になり、接尾辞 F の付いている ISOW644x デバイスのデフォルト出力は low になります。ISOW644xV は、VDDL ピンと VDD ピンの異なる電源電圧で動作できます。これらのデバイスは、VDDL ピンで 2.25V ~ 5.5V のロジック電源をサポートし、3V ~ 5.5V のパワー コンバータ電源電圧 (VDD) とは別に設定できます。
設計および開発
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ISOW7841EVM — ISOW7841 DC/DC コンバータ内蔵クワッドチャネル デジタル アイソレータの評価基板
ISOW7841EVM は、ISOW7841 を評価するための評価基板 (EVM) です。ISOW7841 は高性能の強化絶縁型クワッドチャネル デジタル アイソレータで、DC/DC コンバータが内蔵されており、幅の広い SOIC パッケージ (パッケージ コード、DWE) に搭載されています。この EVM (評価基板) は十分な数のテスト ポイントとジャンパ オプションを実装しており、最小点数の外部部品でデバイスを評価することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SO-MOD (DWE) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点