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UCC5350L-Q1

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适用于 SiC/IGBT 扩展封装的汽车级 ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC5350L-Q1

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWL) 8 106.24 mm² 6.4 x 16.6
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1
  • 米勒钳位，12V UVLO
  • ±10A 典型峰值电流驱动强度
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 30V
  • 100V/ns 最小 CMTI
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 100ns（最大）传播延迟和 <25ns 器件间偏移
  • 8 引脚 DWL（15.7mm 爬电）
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 计划的安全相关认证：
    • UL 1577 组件认证计划
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • CQC - GB4943.1
  • CMOS 输入
  • 工作结温：-40°C 至 +150°C
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1
  • 米勒钳位，12V UVLO
  • ±10A 典型峰值电流驱动强度
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 30V
  • 100V/ns 最小 CMTI
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 100ns（最大）传播延迟和 <25ns 器件间偏移
  • 8 引脚 DWL（15.7mm 爬电）
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 计划的安全相关认证：
    • UL 1577 组件认证计划
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • CQC - GB4943.1
  • CMOS 输入
  • 工作结温：-40°C 至 +150°C

UCC5350L-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 典型峰值拉电流和 10A 典型峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5350L-Q1 具有米勒钳位选项。CLAMP 引脚除了可将晶体管栅极连接到输出端之外，还用于将晶体管栅极连接到内部 FET，以防止米勒电流造成错误接通。UCC5350L-Q1 采用 14mm 宽的 SOIC-8 (DWL) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅使用寿命超过 40 年。UCC5350L-Q1 非常适用于在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动 IGBT 或 MOSFET。与光耦合器相比，此器件间偏移更低、传播延迟更小、工作温度更高，并且 CMTI 更高。

UCC5350L-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 典型峰值拉电流和 10A 典型峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5350L-Q1 具有米勒钳位选项。CLAMP 引脚除了可将晶体管栅极连接到输出端之外，还用于将晶体管栅极连接到内部 FET，以防止米勒电流造成错误接通。UCC5350L-Q1 采用 14mm 宽的 SOIC-8 (DWL) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅使用寿命超过 40 年。UCC5350L-Q1 非常适用于在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动 IGBT 或 MOSFET。与光耦合器相比，此器件间偏移更低、传播延迟更小、工作温度更高，并且 CMTI 更高。
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* 数据表 UCC5350L-Q1 适用于 SiC/IGBT 和汽车应用中的单通道隔离式栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 5月 12日

设计和开发

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评估板

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A、10A 5kVRM 隔离式单通道栅极驱动器评估模块

UCC5390ECDWVEVM 适用于评估 UCC53xxDWV 系列，该系列是一种具备 10A 拉电流和 10A 峰值灌电流能力的 5.0-kVRMS 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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