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功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
TPS51200-Q1
- 符合汽车类 标准
- AEC-Q100 测试指导结果如下：的顶部
- 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
- 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
- VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
- 具有压降补偿功能的灌电流/拉电流终端稳压器
- 所需最小输出电容为 20µF（通常为 3 × 10µF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
- 用于监视输出稳压的 PGOOD
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
- 远程感测 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。
TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。
TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS51200-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2018年 7月 24日 |
| 应用手册 | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 | ||||
| 技术文章 | Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications | PDF | HTML | 2017年 6月 22日 | |||
| 应用手册 | Pwr Ref Design f/'C6472 12-Vin Digital Pwr Controllers and LDOs | 2010年 4月 28日 | ||||
| 应用手册 | Power Two Xilinx(TM) LX240 Virtex-6(TM) Devices | 2010年 4月 20日 | ||||
| 应用手册 | Power Ref Design for TMS320C6472 5Vin DC/DC Converters (1x C6472) | 2010年 3月 31日 | ||||
| 应用手册 | 'C6472 12Vin Flexible Pwr Design Using DCDC Controllers and LDOs (8x C6472) | 2010年 3月 26日 | ||||
| 应用手册 | Power Reference Design for the 'C6472, 12V DCDC Controllers, and LDOs | 2010年 3月 26日 | ||||
| 应用手册 | TMS320C6472 5V Input Pwr Design, Integrated FET DC/DC Converters and Controllers | 2010年 3月 26日 |
设计和开发
电源解决方案
了解包含 TPS51200-Q1 的解决方案。TI 提供适用于 TI 和非 TI 片上系统 (SoC)、处理器、微控制器、传感器和现场可编程门阵列 (FPGA) 的电源解决方案。
TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。
VANTRON-3P-AM6411 — Vantron Technology G405 2ETH 2COM 边缘计算网关
G405 industrial edge computing gateway is an Arm®-based high-performance solution built for industrial applications. The gateway features dual-SIM 4G connectivity, Wi-Fi, Bluetooth, and five Ethernet jacks, while supporting a virtual private network (VPN) to address diversified networking (...)
TPS51200 TINA-TI Start-Up Transient Reference Design
TIDA-01425 — 具有以太网和 CAN 的汽车独立网关参考设计
TIDA-080004 — 面向增强现实抬头显示器的电子与 LED 驱动参考设计方案
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(...)
TIDA-00346 — 面向基于入门级 TDA3x SoC 的 ADAS 系统的成本优化型电源解决方案
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
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